“可控硅”...

发表于 2020-3-11 16:18

可控硅可谓是常见的器件，通常会采用两个“BJT”来作原理性示意。采用此类简单“模型”基本上可以粗略地定性表述可控硅的大致原理。这个，凡是相关从业者基本上都知晓。

发表于 2020-3-11 16:21

可控硅特性中，有个“负阻”区域。这个是常识。

发表于 2020-3-11 16:24

有人对此给出了异议：

用两管作为SCR模型，来解释SCR开关特性，是绝对不可能的！不管怎么修改管子模型，都弄不出负阻区域。

摘自：https://bbs.21ic.com/icview-2931102-1-1.html

发表于 2020-3-11 16:27

关于BJT的“负阻”区域，别说两个BJT构成的电路，即便是单个BJT也有，详见：

剖析《模拟电路》
https://bbs.21ic.com/icview-2538450-3-1.html

发表于 2020-3-11 16:29

下面再看段内容：

本人立此贴为证，谁要能用晶体管的E-M或GP模型，证明出这个模型有SCR固有的负阻特性，我就找个晶闸管吃肚子里去。

摘自：https://bbs.21ic.com/icview-2931102-1-1.html

居然用“E-M”模型！

发表于 2020-3-11 16:35

关于可控硅电路分析，除了要用对基本模型外还需考虑其动态特性。这里不再展开。

发表于 2020-3-12 13:35

HWM 发表于 2020-3-11 16:35
关于可控硅电路分析，除了要用对基本模型外还需考虑其动态特性。这里不再展开。
...

如何展开动态分析，能否告知我们？

发表于 2020-3-12 16:00

冰封小肥牛发表于 2020-3-12 13:35
如何展开动态分析，能否告知我们？

哈哈，你弄人家太难堪了，净捡人家不会的问。。。
当然了，现在用关键词跑百度上搜索，还是能搜到几条信息地。。。

发表于 2020-3-12 16:23

这些似乎不是高深的技术问题，如果是讨论半导体内部物理原理大部分工程师不感兴趣，我只对外部看得见的特性感兴趣。
还有比较好奇，可控硅好吃吗？红烧还是清蒸？还是生吞活剥？如果把脚剪掉打磨一下圆润一点，吞几个应该问题不大。

发表于 2020-3-12 16:41

这么一说，我对可控硅的端口特性又好奇了，近来容易忘事，以前应该好奇测试过很多可控硅的端口特性。
记得大功率双向可控硅的触发极有一定的电阻，并非纯二极管效应。
回家再测试一下，单位竟然没有可控硅。