本帖最后由 blust5 于 2020-3-14 11:56 编辑
前段时间刚好在学习使用TI的电量计芯片BQ40Z50-R1，现将自己整理出来的使用注意事项分享如下：
1. /PRES引脚用以检测是否有系统，该引脚被外部拉低时表示有系统存在。
2. /SHUTDN引脚用来控制芯片休眠或工作，下降沿有效，进入休眠和唤醒均为下降沿触发。可用按键控制。
3. /PRES引脚和/SHUTDN引脚是同一个引脚。
4. 不满四串的应用时，从最高节电芯（VC4）开始往下短路。
5. 内部均衡最大电流为10mA，可同时均衡多节；外部均衡电路同一时间只能均衡一节。
6. 电流检测输入SRP、SRN之间的压差范围为 -0.1V ~ 0.1V。
7. V(SRP) > V(SRN) 时为充电，反之为放电。
8. 具有历史数据记录功能，每10小时记录一次特定数据：最大最小电芯电压、最大电芯压差、最大充电电流、最大放电电流、最大平均放电电流、最大平均放电功率、最大最小电芯温度、最大电芯温度差、最大最小内部传感器温度、最大MOSFET温度、安全时间发生次数和最后一次安全事件发生的循环、有效的充电种植次数和最后一次发生的循环、Qmax和Ra的更新次数和最后一次更新的循环、Shutdown次数、每节电芯的均衡时间、总的运行时间和每个温度区间内的运行时间。
9. 支持SHA-1认证。
10. 可驱动3、4、5段LED显示容量状态和故障代码指示。
11. 电芯电压检测周期为250ms。
12. 检流电阻的阻值推荐为1mΩ ~ 3mΩ。
13. 具有一个内部温度传感器和四个外部温度传感器，所有五个传感器都可以单独配置开启或关闭，并可配置为电芯温度或者FET温度检测。
14. 通讯方式为SMBus V1.1。两条通讯线被拉低超过2S时，通讯关闭。两条线拉高后，1ms内通讯恢复工作。
15. 具有三种工作模式：正常模式、睡眠模式、Shutdown模式。
16. 正常模式：以250ms为周期进行数据采样、计算、保护动作执行和数据更新，时间间隔内为低功耗阶段。
17. 睡眠模式：以可调的时间为周期进行数据采样、计算、保护动作执行和数据更新，时间间隔内为低功耗阶段。当检测到电流或发生故障时，可唤醒进入正常模式。
18. Shutdown模式：全部禁止运行。
19. 保护参数使用bqSTUDIO工具进行配置。
20. 如果应用串数为1串或2串，首次参数配置应外接充电器或电源，防止芯片关闭。（因为芯片默认应用为3串，1串或2串应用总电压太低导致系统关闭。）
21. 充放电MOS为NMOS，高端驱动。预充电MOS为PMOS。
22. FUSE引脚输出有效信号为8V电压，在发生安全故障时，用于驱动MOS导通来熔断三端保险丝。
23. 内部均衡电路等效电阻为200Ω，推荐100Ω-1kΩ的外部输入电阻进行有效的电芯均衡。
24. VBAT引脚和电池之间使用一个二极管用来隔离，防止发生短路造成的电压瞬间下降影响VBAT电压。
25. 放电MOS的GS端并联一个MOS管（Q4），用来防止充电器反接。
26. BQ40Z50具有四个外部热敏电阻接口，每个接口可以使能一个18KΩ的内部上拉电阻。不使用的接口接地处理。
27. 三个LED驱动引脚，可以最多控制五颗LED，不需要外接驱动电压。未使用的LED控制引脚可以悬空，也可以接地。如果不使用LED功能，需要将DISP引脚接地。
28. 安全PTC热敏电阻接口可以外接PTC电阻，用来检测MOSFET温度。PTC引脚的驱动电流为370nA。当引脚电压高于0.7V时触发PTC故障。该故障属于安全故障，会驱动FUSE引脚输出8V电压，并且只能由复位动作来清除。可通过选取合适的PTC来达到防止MOS过热的作用。不使用该功能时需将PTC引脚通过10KΩ电阻接地。
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