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[资料分享] IS61LV25616国产SRAM芯片替换

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 楼主 | 2020-3-18 15:45 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 英尚微电子 于 2020-3-18 17:45 编辑

                      20200317102445327.jpg
    2018年中国进口了超过900亿美元的存储芯片,这其中三星电子、SK海力士和美光电子三分天下,而国内厂商的份额为——0%。DRAM凭借体积小、价格低、集成度高、功耗低、读写速度快等特点,一直是适用于内存最好的介质。几乎占据了中国存储的半壁江山,特别是更细分的存储市场如SRAM芯片,pSRAM芯片等,几乎被ISSI,cypress长年占据高达80%以上的市场份额,随着中国市场对产品国产化的要求,越来越多的工控厂商,国企单位针对IS61LV25616芯片要求替换为国产化的SRAM芯片的趋势越来越明显。

      英尚微电子推出一款针对IS61LV25616芯片进行兼容替换的XRAM存储器芯片,型号XM8A25616V33A,容量4Mbit (256K×16/512K×8) Asynchronous XRAM,工作电压采用宽电压 2.2 V to 3.6 V, 10/12 ns的高速读取速度,XM8A25616V33A提供二个封装选项:48球FBGA和44管脚TSOP (II),客户可根据自身的应用需求来选择最适合的封装方案,XM8A25616V33A结合先进工艺结合XRAM存储器特有的XRAM免刷新专利技术,在大容量,高速性能和高可靠性方面完全可以匹敌同类SRAM,同时具有较低功耗和更低的成本,并且与所有同类型SRAM产品硬件完全兼容,可以称为国产SRAM芯片,满足各种应用系统对高性能和低成本的要求。

XM8A系列型号表

Density
PartNumber
BW bit
Vdd
Speed
Package
64Mb
XM8A04M16V33A
X16
3.3V
10/12ns
TSOP1(48)/TSOP2(54)/BGA(48)
64Mb
XM8A08M08V33A
X8
3.3V
10/12ns
TSOP1(48)/TSOP2(54)/BGA(48)
32Mb
XM8A02M16V33A
X16
3.3V
10/12ns
TSOP1(48)/BGA(48)
32Mb
XM8A04M08V33A
X8
3.3V
10/12ns
TSOP1(48)/BGA(48)
16Mb
XM8A01M16V33A
X16
3.3V
10/12ns
TSOP1(48)/BGA(48)
16Mb
XM8A02M08V33A
X8
3.3V
10/12ns
TSOP1(48)/TSOP2(44)/BGA(48)
8Mb
XM8A51216V33A
X16
3.3V
10/12ns
TSOP2(44)/TSOP1(48)
8Mb
XM8A01M08V33A
X8
3.3V
10/12ns
TSOP2(44)/TSOP1(48)
4Mb
XM8A25616V33A
X16
3.3V
10/12ns
TSOP2(44)/BGA(48)
4Mb
XM8A51208V33A
X8
3.3V
10/12ns
TSOP2(44)/BGA(48)

规格书下载: XM8A01M08V33(8M).pdf (719.73 KB, 下载次数: 2)

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 楼主 | 2020-3-18 15:47 | 显示全部楼层
DRAM凭借体积小、价格低、集成度高、功耗低、读写速度快等特点,一直是适用于内存最好的介质。

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 楼主 | 2020-3-18 15:48 | 显示全部楼层
细分的存储市场如SRAM芯片,pSRAM芯片等,几乎被ISSI,cypress长年占据高达80%以上的市场份额

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 楼主 | 2020-3-18 15:51 | 显示全部楼层
英尚微电子推出一款针对IS61LV25616芯片进行兼容替换的XRAM存储器芯片,型号XM8A25616V33A,容量4Mbit (256K×16/512K×8) Asynchronous XRAM,工作电压采用宽电压 2.2 V to 3.6 V, 10/12 ns的高速读取速度

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 楼主 | 2020-3-18 15:52 | 显示全部楼层
XM8A25616V33A提供二个封装选项:48球FBGA和44管脚TSOP (II),客户可根据自身的应用需求来选择最适合的封装方案

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 楼主 | 2020-3-18 15:52 | 显示全部楼层
XM8A系列型号表

Density
PartNumber
BW bit
Vdd
Speed
Package
64Mb
XM8A04M16V33A
X16
3.3V
10/12ns
TSOP1(48)/TSOP2(54)/BGA(48)
64Mb
XM8A08M08V33A
X8
3.3V
10/12ns
TSOP1(48)/TSOP2(54)/BGA(48)
32Mb
XM8A02M16V33A
X16
3.3V
10/12ns
TSOP1(48)/BGA(48)
32Mb
XM8A04M08V33A
X8
3.3V
10/12ns
TSOP1(48)/BGA(48)
16Mb
XM8A01M16V33A
X16
3.3V
10/12ns
TSOP1(48)/BGA(48)
16Mb
XM8A02M08V33A
X8
3.3V
10/12ns
TSOP1(48)/TSOP2(44)/BGA(48)
8Mb
XM8A51216V33A
X16
3.3V
10/12ns
TSOP2(44)/TSOP1(48)
8Mb
XM8A01M08V33A
X8
3.3V
10/12ns
TSOP2(44)/TSOP1(48)
4Mb
XM8A25616V33A
X16
3.3V
10/12ns
TSOP2(44)/BGA(48)
4Mb
XM8A51208V33A
X8
3.3V
10/12ns
TSOP2(44)/BGA(48)

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 楼主 | 2020-3-18 15:53 | 显示全部楼层
XRAM 具有以下几个技术特点:1、数据读取速率快于DRAM产品10倍,延时只有10ns左右;
2、容量覆盖Megabit到Gigabit;
3、可以节省40%左右的存储阵列功耗;
4、从用户端不需要考虑刷新机制,可以随时访问。


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 楼主 | 2020-3-18 16:01 | 显示全部楼层
本帖最后由 英尚微电子 于 2020-3-18 16:03 编辑

XM8A25616V33A结合先进工艺结合XRAM存储器特有的XRAM免刷新专利技术,在大容量,高速性能和高可靠性方面完全可以匹敌同类SRAM,同时具有较低功耗和更低的成本,并且与所有同类型SRAM产品硬件完全兼容,可以称为国产SRAM芯片,满足各种应用系统对高性能和低成本的要求。

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