上图为AD公司 设计的 “用运放做自动OR操作的电源选择器”
http://www.dzsc.com/data/html/2011-10-25/98965.html
在上图中对于MOS管DS的接法,原文中这样描述: 在N沟道FET设计中,MOSFET漏极流出正电流。在P沟道设计中,电流则来自MOSFET源极。如果采用常见的电流方向(作切换或放大),则MOSFET漏极的体二极管会破坏整流工作。
原文中说:P沟道MOSFET设计适合于工作在3.3V或更高电压的小功率单电源系统,而N沟道MOSFET则适用于较低总线电压或较大电流,以及有合适运放偏置电压的情况
什么意思?
问题1:MOSFET漏极的体二极管会破坏整流工作,此句如何理解?
问题2:运放在此是用作 积分、比较还是其它? 工作过程是什么样的?如果运放做比较器的话,R4,C1作用的什么?
问题3:DS正接和反接有何不同?
烦请大家 指教一下,谢谢!
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