上图为AD公司 设计的 “用运放做自动OR操作的电源选择器”
http://www.dzsc.com/data/html/2011-10-25/98965.html
在上图中对于MOS管DS的接法，原文中这样描述： 在N沟道FET设计中，MOSFET漏极流出正电流。在P沟道设计中，电流则来自MOSFET源极。如果采用常见的电流方向（作切换或放大），则MOSFET漏极的体二极管会破坏整流工作。
原文中说：P沟道MOSFET设计适合于工作在3.3V或更高电压的小功率单电源系统，而N沟道MOSFET则适用于较低总线电压或较大电流，以及有合适运放偏置电压的情况
什么意思？
问题1：MOSFET漏极的体二极管会破坏整流工作，此句如何理解？
问题2：运放在此是用作 积分、比较还是其它？ 工作过程是什么样的？如果运放做比较器的话，R4，C1作用的什么？
问题3：DS正接和反接有何不同？
烦请大家 指教一下，谢谢！
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