打印

【求助】 运放在双电源切换中的应用及问题

[复制链接]
1354|1
手机看帖
扫描二维码
随时随地手机跟帖
跳转到指定楼层
楼主
fymok|  楼主 | 2011-12-8 10:21 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式


上图为AD公司 设计的 “用运放做自动OR操作的电源选择器”
http://www.dzsc.com/data/html/2011-10-25/98965.html

在上图中对于MOS管DS的接法,原文中这样描述: 在N沟道FET设计中,MOSFET漏极流出正电流。在P沟道设计中,电流则来自MOSFET源极。如果采用常见的电流方向(作切换或放大),则MOSFET漏极的体二极管会破坏整流工作。

原文中说:P沟道MOSFET设计适合于工作在3.3V或更高电压的小功率单电源系统,而N沟道MOSFET则适用于较低总线电压或较大电流,以及有合适运放偏置电压的情况

什么意思?

问题1:MOSFET漏极的体二极管会破坏整流工作,此句如何理解?

问题2:运放在此是用作 积分、比较还是其它? 工作过程是什么样的?如果运放做比较器的话,R4,C1作用的什么?
问题3:DS正接和反接有何不同?



烦请大家 指教一下,谢谢!

相关帖子

沙发
fymok|  楼主 | 2011-12-9 11:43 | 只看该作者
没人回答啊

使用特权

评论回复
发新帖 我要提问
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

7

主题

40

帖子

0

粉丝