一个PMOS电流保护电路

登录 · 发表于 2020-4-1 16:01

这个电路如何，有人用过吗？

发表于 2020-4-1 16:31

会不会T1爆了，T2还没动作？

发表于 2020-4-1 16:35

lfc315 发表于 2020-4-1 16:31
会不会T1爆了，T2还没动作？

这个看电容c1的选择了。这个电路离散性大点，适合短路保护。

发表于 2020-4-1 16:36

为什么要这样设计呢？
怕电流采样电阻压降大？

登录 · 发表于 2020-4-1 16:43

lfc315 发表于 2020-4-1 16:36
为什么要这样设计呢？
怕电流采样电阻压降大？

这个是vds，电流保护。
exb841就是vds电流采样保护。

登录 · 发表于 2020-4-1 16:53

发表于 2020-4-1 16:54

lfc315 发表于 2020-4-1 16:36
为什么要这样设计呢？
怕电流采样电阻压降大？

这是特别大的电流，短路保护思路。电流大了后，采样电阻不好选了。

登录 · 发表于 2020-4-1 17:18

叶春勇发表于 2020-4-1 16:54
这是特别大的电流，短路保护思路。电流大了后，采样电阻不好选了。

这种情况下，我倾向于采样功率MOS管两端的压降；比如下图M1这样：

这样：

登录 · 发表于 2020-4-1 18:16

本帖最后由叶春勇于 2020-4-1 18:53 编辑

lfc315 发表于 2020-4-1 17:18
这种情况下，我倾向于采样功率MOS管两端的压降；比如下图M1这样：

这种应该行，但主要还是做开关。
也有靠光耦延时的。

RL短路，Q1压降增加到光耦导通电压。

发表于 2020-4-4 09:34

你没有搞清楚工作原理，这个电路，20年前就散件搭建过，不需要电流取样电阻，这个的原理是检测IGBT的管压降的，电容只是一个提供滞后偏压时间的。当过流后，管压降增大，检测三极管获得偏置电流放大加深（这里不是开关工作模式），提供给IGBT的驱动电压下降，进一步加深了管压降（进入放大状态），又反馈回去形成一个雪崩现象关闭IGBT，这里有个电容提供了死锁的效果，需要断掉驱动泄放掉下一次开启才会有效。那只二极管到开关是开关关闭时候为了防止低压电路承受高压的

登录 · 发表于 2020-4-10 14:30

一事无成就是我发表于 2020-4-4 09:34
你没有搞清楚工作原理，这个电路，20年前就散件搭建过，不需要电流取样电阻，这个的原理是检测IGBT的管压降 ...

这个二极管还是妙，可以用来进行简单的电流采样。

发表于 2020-4-11 11:21

典型的VDS采样保护电路。
T3作为开关，在T1导通期间导通，将T1的D极电压通过R2，加到T2基极，当负载过小，T1的VDS超过保护值，则T2导通，T1栅极被旁路，由于该过程相对保护动作是一个正反馈，所以，T2一旦开始动作，在这个驱动信号存在过程中将始终导通，T1没有机会再导通，除非信号重新变为低电平后再次开启。
设计合理的VDS采样保护是一种非常可靠的MOS、IGBT保护方法，能对付几乎所有负载异常状态，包括半桥共通等灾难性问题实施可靠保护。

发表于 2020-4-11 11:23

叶春勇发表于 2020-4-1 16:53

IGBT驱动模块典型VDS保护线路.............
没有之一............

发表于 2020-4-11 11:28

叶春勇发表于 2020-4-1 16:35
这个看电容c1的选择了。这个电路离散性大点，适合短路保护。

C1提供一个合适的滞后，以免T1动作滞后、T3动作速度快导致误动作，这个电容应该非常小就可以了，
该线路并不简单的只是保护负载短路，因为采用VDS保护，且具有正反馈特性，所以可以保护几乎所有负载错误，包括半桥共通等灾难。

发表于 2020-4-11 11:32

tianxj01 发表于 2020-4-11 11:21
典型的VDS采样保护电路。
T3作为开关，在T1导通期间导通，将T1的D极电压通过R2，加到T2基极，当负载过小，T ...

没看明白，6楼这个图，T2不是在T1后面吗？怎么是T2导通会导致T1栅极被旁路。

一个PMOS电流保护电路

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