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一个PMOS电流保护电路

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 楼主 | 2020-4-1 16:01 | 显示全部楼层 |阅读模式
这个电路如何,有人用过吗?
83045e844a34d5c56.png

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| 2020-4-1 16:31 | 显示全部楼层
会不会T1爆了,T2还没动作?

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 楼主 | 2020-4-1 16:35 | 显示全部楼层
lfc315 发表于 2020-4-1 16:31
会不会T1爆了,T2还没动作?

这个看电容c1的选择了。这个电路离散性大点,适合短路保护。

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tianxj01 2020-4-11 11:29 回复TA
C1提供一个合适的滞后,以免T1动作滞后、T3动作速度快导致误动作,这个电容应该非常小就可以了, 该线路并不简单的只是保护负载短路,因为采用VDS保护,且具有正反馈特性,所以可以保护几乎所有负载错误,包括半桥共通等灾难。 
| 2020-4-1 16:36 | 显示全部楼层
为什么要这样设计呢?
怕电流采样电阻压降大?

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 楼主 | 2020-4-1 16:43 | 显示全部楼层
lfc315 发表于 2020-4-1 16:36
为什么要这样设计呢?
怕电流采样电阻压降大?

这个是vds,电流保护。
exb841就是vds电流采样保护。
445415e84542b405a3.png


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lfc315 2020-4-1 16:46 回复TA
图是不是错了,看不懂 
 楼主 | 2020-4-1 16:53 | 显示全部楼层
503275e845671df3dd.png

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tianxj01 2020-4-11 11:24 回复TA
@lfc315 :IGBT驱动厚膜电路典型的VDS保护线路,没有之一........也是最可靠的IGBT保护手段 
lfc315 2020-4-1 17:06 回复TA
T2关断,T3不是应该导通吗 
 楼主 | 2020-4-1 16:54 | 显示全部楼层
lfc315 发表于 2020-4-1 16:36
为什么要这样设计呢?
怕电流采样电阻压降大?

这是特别大的电流,短路保护思路。电流大了后,采样电阻不好选了。

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| 2020-4-1 17:18 | 显示全部楼层
叶春勇 发表于 2020-4-1 16:54
这是特别大的电流,短路保护思路。电流大了后,采样电阻不好选了。

这种情况下,我倾向于采样功率MOS管两端的压降;比如下图M1这样:
215254dj5srgrg3n1v1bn7.png.thumb.jpg

这样:
QQ截图20200401171321.png

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lfc315 2020-4-1 17:20 回复TA
哈,借用了xukun977的一个图 
 楼主 | 2020-4-1 18:16 | 显示全部楼层
本帖最后由 叶春勇 于 2020-4-1 18:53 编辑
lfc315 发表于 2020-4-1 17:18
这种情况下,我倾向于采样功率MOS管两端的压降;比如下图M1这样:

这种应该行,但主要还是做开关。
也有靠光耦延时的。
50275e84729e5c12f.png
RL短路,Q1压降增加到光耦导通电压。



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lfc315 2020-4-1 23:53 回复TA
@叶春勇 :一讲就明白了,倒是挺巧妙 
叶春勇 2020-4-1 18:49 回复TA
@lfc315 :那个接gnd的电阻短路,上面的pmos压降升高,光耦1点几伏导通。 
lfc315 2020-4-1 18:46 回复TA
看不到光耦有导通的机会 
叶春勇 2020-4-1 18:45 回复TA
@lfc315 :进单片机中断了。 
lfc315 2020-4-1 18:40 回复TA
这个电路好奇怪,能用吗?前一个MOS导通了,后一个MOS就不会导通了吧? 
| 2020-4-4 09:34 | 显示全部楼层
你没有搞清楚工作原理,这个电路,20年前就散件搭建过,不需要电流取样电阻,这个的原理是检测IGBT的管压降的,电容只是一个提供滞后偏压时间的。当过流后,管压降增大,检测三极管获得偏置电流放大加深(这里不是开关工作模式),提供给IGBT的驱动电压下降,进一步加深了管压降(进入放大状态),又反馈回去形成一个雪崩现象关闭IGBT,这里有个电容提供了死锁的效果,需要断掉驱动泄放掉下一次开启才会有效。那只二极管到开关是开关关闭时候为了防止低压电路承受高压的

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 楼主 | 2020-4-10 14:30 | 显示全部楼层
一事无成就是我 发表于 2020-4-4 09:34
你没有搞清楚工作原理,这个电路,20年前就散件搭建过,不需要电流取样电阻,这个的原理是检测IGBT的管压降 ...

690745e90127a2de4d.png
这个二极管还是妙,可以用来进行简单的电流采样。

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| 2020-4-11 11:21 | 显示全部楼层
典型的VDS采样保护电路。
T3作为开关,在T1导通期间导通,将T1的D极电压通过R2,加到T2基极,当负载过小,T1的VDS超过保护值,则T2导通,T1栅极被旁路,由于该过程相对保护动作是一个正反馈,所以,T2一旦开始动作,在这个驱动信号存在过程中将始终导通,T1没有机会再导通,除非信号重新变为低电平后再次开启。
设计合理的VDS采样保护是一种非常可靠的MOS、IGBT保护方法,能对付几乎所有负载异常状态,包括半桥共通等灾难性问题实施可靠保护。

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| 2020-4-11 11:23 | 显示全部楼层

IGBT驱动模块典型VDS保护线路.............
没有之一............

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| 2020-4-11 11:28 | 显示全部楼层
叶春勇 发表于 2020-4-1 16:35
这个看电容c1的选择了。这个电路离散性大点,适合短路保护。

C1提供一个合适的滞后,以免T1动作滞后、T3动作速度快导致误动作,这个电容应该非常小就可以了,
该线路并不简单的只是保护负载短路,因为采用VDS保护,且具有正反馈特性,所以可以保护几乎所有负载错误,包括半桥共通等灾难。

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| 2020-4-11 11:32 | 显示全部楼层
tianxj01 发表于 2020-4-11 11:21
典型的VDS采样保护电路。
T3作为开关,在T1导通期间导通,将T1的D极电压通过R2,加到T2基极,当负载过小,T ...

没看明白,6楼这个图,T2不是在T1后面吗?怎么是T2导通会导致T1栅极被旁路。

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tianxj01 2020-4-11 11:37 回复TA
我讨论的是楼主顶楼的图,不是后面的。 
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