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这个mos管是不是不适合做开关管啊

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ll_sd|  楼主 | 2008-12-18 23:11 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
沙发
chunyang| | 2008-12-19 00:44 | 只看该作者

可以,只要导通电阻、开启电压、额定电流满足要求即可

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板凳
ll_sd|  楼主 | 2008-12-19 08:41 | 只看该作者

不是看vds和vgs电压的吗?

假设vds=3v,vgs=4v都进入恒流区了,

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地板
computer00| | 2008-12-19 08:48 | 只看该作者

那你就不会提高VGS吗?例如5V。

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ll_sd|  楼主 | 2008-12-19 09:34 | 只看该作者

胡乱举个例子

例如控制信号在0~3v,被控制的负载电压也是3v,那么要想用这个mos管做开关就要用自举电路把3v升到5v左右?

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ll_sd|  楼主 | 2008-12-19 09:48 | 只看该作者

对mos管不是很熟系。

现在要用一个mos管作模拟开关,控制60个led灯。打算用p-mos,这个电路可行吗?另外请推荐一个适合这个电路的mos管型号,要贴片的。Id〉1.2A的。信号频率大约在100hz左右

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ll_sd|  楼主 | 2008-12-19 09:49 | 只看该作者

忘了上图

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PowerAnts| | 2008-12-19 09:51 | 只看该作者

去找Vth小的MOS吧

Vgs三伏以下就饱合的MOS,甚至一点几伏,零点几伏,大把

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ll_sd|  楼主 | 2008-12-19 10:14 | 只看该作者

没这个必要吧

这种解法,Vc是低电平的时候Vgs=0-24=-24v,肯定低于Vth导通完全没问题吧。Vc是高电平的时候Vgs约等于24-24=0v,mos管断开。这样的电路可行吗?还有r1阻值用1~10k左右差不多了吧

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computer00| | 2008-12-19 10:37 | 只看该作者

注意GS击穿电压,一般的FET,GS击穿电压也就20V左右。

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ll_sd|  楼主 | 2008-12-19 11:15 | 只看该作者

圈圈来看看这样改有什么问题

这样改可以吗?当三极管导通时,Vg=24V*(R2/R1+R2),只要R1,R2之比合适,那么Vgs<V(br)gs.如果电路没问题的话我做个试验板看看.

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computer00| | 2008-12-19 12:25 | 只看该作者

可以。何必一定要用MOS管呢?用普通三极管也得。

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