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死区时间，大家是怎么设定的啊？H BRIDGE CLASS D

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hzjk|  楼主 | 2009-1-7 10:23 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
Bridge, FET, MOS, MOSFET, os
请问，H BRIDGE CLASS D 中 大家的死区时间是怎么设定的呢？只是根据mosfet 的开关延时时间来确定的吗？
目前我公司的芯片输出为PWM形式想在外面加上H BRIDGE CLASS D以加大驱动能力。这种电路的应用有人用过吗，我找了mosfet（irf9640 irf640）但是感觉开关延时的时间有点长了，因为我PWM的频率是16M的。大家有推荐的mosfet没有。或则说有人这样使用过没有？

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沙发
computer00| | 2009-1-7 12:05 | 只看该作者

空载时没有温升就可以了吧

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板凳
liudewei| | 2009-1-7 12:33 | 只看该作者

t死区>toff-ton，一般留点裕量即可，toff可以包含所有的关延时

ton包含所有的开延时

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