本帖最后由 无敌小璐璐 于 2020-4-23 16:06 编辑
目前，数字集成电路按导电类型可分为两种：双极型集成电路（主要为TTL）和单极型集成电路（CMOS、NMOS、PMOS等）。其中，CMOS电路的单门静态功耗在毫微瓦（nw）数量级。
1、CMOS集成电路的简介
CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor）是互补金属氧化物半导体，电压控制的一种放大器件，是组成CMOS数字集成电路的基本单元。
金属氧化物半导体（Metal Oxide Semiconductor）结构的晶体管简称为MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。其中，由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路；由PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS-IC（Complementary MOS Integrated CIRcuit）。
2、CMOS集成电路的性能特点
◆ 微直流功耗：CMOS电路的单门静态功耗在毫微瓦（nw）数量级。
◆ 高噪声容限：CMOS电路的噪声容限一般在40%电源电压以上。
◆ 宽工作电压范围：CMOS电路的电源电压一般为1.5至18V。
◆ 高逻辑摆幅：CMOS电路输出高、低电平的幅度达到全电压的“1”为VDD，逻辑“0”为VSS。
◆ 高输入阻抗：CMOS电路的输入阻抗大于108Ω，一般可达1010Ω。
◆ 高扇出能力：CMOS电路的扇出能力大于50。
◆ 低输入电容：CMOS电路的输入电容一般不大于5PF。
◆ 宽工作温度范围：陶瓷封装的CMOS电路工作温度范围为-55 0C至125 0C，塑封的CMOS电路为-40 0C至85 0C。
这里需要指出的是，以上所有的输入均有删保护电路，良好的抗辐照特性等。
3、CMOS与TTL的比较
虽然CMOS的发展比TTL要晚一些，但以其较高的优越性在很多场合逐渐取代了TTL。
下面，通过比较两者之间的性能，大家就知道其原因了。
◆ CMOS是场效应管构成；TTL是双极晶体管构成。
◆ CMOS的逻辑电平范围比较大（5-15V）；TTL只能在5V以下工作。
◆ CMOS的高低电平之间相差比较大，且抗干扰性强；TTL相差比较小，且抗干扰能力差。
◆ CMOS功耗较小；TTL功耗较大（1-5mA/门）。
◆ CMOS的工作频率较TTL略低，但高速CMOS速度与TTL差不多。
4、CMOS集成电路的使用注意事项
◆ 由于CMOS电路中电压控制器件，它的输入总抗很大，对干扰信号的捕捉能力很强，所以不用的管脚不要悬空，一定要接上拉电阻或者下拉电阻，给它一个恒定的电平。
◆ 当输入端接低内组的信号源时，要在输入端和信号源之间串联限流电阻，使输入的电流限制在1mA之内。
◆ 当接长信号传输线时，在CMOS电路端接匹配电阻。
◆ 当输入端接大电容时，在输入端和电容之间接保护电阻，电阻值为R=V0/1mA.V0是外界电容上的电压。
◆ 当CMOS的输入电流超过1mA时，就有可能烧坏CMOS。
免责声明：本文系网络转载，版权归原作者所有。如有问题，请联系删帖，谢谢！
↑↑ 扫码关注更多精彩内容 |
楼主
标题置顶
标题高亮
