本帖最后由 jack_ma 于 2011-12-16 14:43 编辑
漏极电压Vd，从0至4V进行扫描，在每个Vd扫描之后，门极电压Vg步进到下一个数值。传统的只有直流的Vds-id和通过4200-RBT偏置T型接头的直流IV测试之间的主要区别是SMU的数量。通过偏置T型接头进行的直流IV测试，使用2个 SMU[2]，其源和本体连接到地（SMA的同轴电缆屏蔽层）。
Vds–id-pulse测试如图7所示。由于脉冲测试是UTMS（用户测试模块），所以参数是通过图7所示的表格界面来改变的。对于脉冲Vds-id[3]，门极电压不是阶梯的，所以将下一个Vds-id曲线附加到图上之前，必须输入每一个门极电压。
图7.
脉冲Vds-id UTM definition选项页
请注意，直流和脉冲测试的参数都可以很容易的进行修改，允许对晶体管行为特性进行交互式观察。下面章节运行Pulse IV测试部分会涵盖运行Vds-id测试的程序。
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[1] Vds–id http://www.keithley.com.cn/produ ... iconductor/4200piva
[2] SMU
http://www.keithley.com.cn/products/semiconductor/reliabilitytestsolutions/4200scs/?mn=4200-SMU
[3] Vds-id http://www.keithley.com.cn/semi/4200scs/4200piv |
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