谁帮我剖析一下这个电路

发表于 2009-2-27 16:54

本人是刚毕业实习的学生，有个SM8952复位电路分析不出来，有没有人帮忙分析下啊，上电以后怎么产生的复位信号。能详细说下电容的充放电过程吗？

发表于 2009-2-27 18:44

新手上路 有点看不懂

发表于 2009-2-27 20:11

发表于 2009-2-28 08:28

这是SM8952上电复位电路，上电后要给RES一个高电平，然后用三极管把电平拉低，我现在就是不明白怎么把电平拉低的，而且那个电容充放电具体过程不知道。望高人指点

发表于 2009-2-28 10:57

一上电的时候,三极管不导通,所以RES端的电压为VCC,而电容不能突变,故三极管的基极和集电极电压都为VCC.三极管慢慢导通,结果RES变低

发表于 2009-2-28 11:19

那么这个电路就有问题，上电res的电压就跌了下去，并且一直为低，不可是5楼说的三极管的基极和集电极都是Vcc。 原因：电容的两端的电压不能突变，所以瞬间短路，也就是集电极和基极短论，两个电阻分压，res为0.5Vcc，但是这个不可能维持，因为这个电压三极管导通了，瞬间放电就把电压拉下去了，基极电压最低就到0.6V，通过二极管维持了，而集电极的电压最终维持在0V少高一点。虽然没测量，但是我觉得res持续0.5Vcc的时间在uS级，甚至更短，所以起不到复位作用

发表于 2009-2-28 11:24

该电路跟51单片机的复位脚相连 起到低压检测作用。 当VCC低到一定电压时 三极管截止，RES=高电平，单片机复位 第一次上电时，电容放三极管的CB极有点怪 我的理解放在BE极比较合理

发表于 2009-2-28 13:33

res电压22.4mV 基极电压742mV 二极管用4148 三极管用2N3393 电容10nF和1.1nF仿真结果一样

发表于 2009-2-28 16:58

回五楼：你自己的话都有矛盾，说电容电压不能突变，那怎么可能一上电res就会成Vcc，肯定要有一个过程的。 回六楼：至今没有听说过集电极基极短论，这个复位高电平只要10us左右就可以实现上电复位。 回七楼：这的确可以起到一个低压检测作用，不过那个Vcc是一个稳压电源输出为5V，所以不可能会有很大的波动的。这是我们公司一个单片机产品的上电复位电路，所以硬件应该没有问题。 回8楼。我要的是看上电瞬间res上的电平变化，你告诉我res最后的保持电压有什么用，谁都知道一定的充放电时间后res肯定会被拉低的……

发表于 2009-2-28 22:57

首先，上电的时候电容的电压是不能跳变的，C112电压要从0开始充电的，当电压到达0.7V使三极管导通将RES的高电平拉低。现在我来详细说一下电容的充电过程。 刚刚开始上电这个时侯三极管是不导通的（BE极电压不能跳变），我们就先把三极管去掉，只分析Vbe到达0.7V的这段时间电容的充电。没有三极管后我们从R122端看整个电路，此时这个电路由于有二极管D101的存在这个电路的输入阻抗为1K，而在电路稳定后R122两端电压只有0.8125V，这个可以根据根据节点电压方程算出来，不过它两端电压是达不到0.8V的，因为到0.7V后三极管导通就会把电压钳制在0.7V。现在我们就取0.8V。那从R122端看整个电路就可以等效成为一个0.8V的电压源串联一个1K的电阻的电路。此电路对C112的下面这极充电。充电的公式为Vc=Vmax*【1-exp(-t1/τ）】取Vc为0.7V，C112为10u，Vmax为电容充电能达到的最大电压取0.8V，可以算出t1=20.1ms。在电容下面这极充电的同时，电容上极也经过R119=1K充电，同样由公式取Vmax为5V可以算出在下极到达0.7V的同时即20.1ms的时间内，上极板充电到达了4.2V多。这样RES就达到了高电平，而由于三极管BE极电压到达了0.7V，所以迅速将RES拉低成低电平，实现了上电复位。 现在算一下高电平保持的时间。高电平一般是3.7V以上。现在我们取Vc为3.7V，Vmax为5V，计算一下就可以得到上极板充电到3.7V所需要的时间t2=13.5ms。那么高电平的保持时间就是t1-t2=20.1-13.5=6.6ms。而我采用的单片机的晶振是22.1184MHz，一个机器周期时间为0.543us，RES上出现两个机器周期的高电平单片机就会复位，所以6.6ms》1.085us的所以单片机能可靠的实现上电复位。可以看出电容C112还可以适当的取小。 这是我同事分析的结果，跟我讨论了，我认为这个分析是正确的，如有错误望高人指正。