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MOS管的参数 功率耗散 (Power Dissipation) 怎么理解

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FAQ|  楼主 | 2020-4-29 11:07 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
本帖最后由 FAQ 于 2020-4-29 11:13 编辑

同样的硬件电路板子,同样的使用条件(通过同样的大的电流),只是单纯的替换MOS管,






最大功率耗散 (Maximum Power Dissipation)这个参数值越大越好,还是越小越好?

我的理解应该是越大越好,我认为这个值越大,说明这个MOS管能够承受的发热损耗功率更大,也就是更耐热,更耐热也就是意味着更不容易损坏。


例如同样是2301这个mos,我认为vishay的这个参数要比长电的这个参数好?

用了好几年的MOS管一直没有注意到这个参数怎么看,麻烦老司机给科普下,谢谢!




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沙发
LennonL| | 2020-4-30 15:10 | 只看该作者
可以这么理解,实际上是Pd=温升/热阻,也就是Pd达到max值时Tj也到最大了

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板凳
姓陈的| | 2021-4-25 16:20 | 只看该作者
学习了。

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地板
tianxj01| | 2021-4-26 11:12 | 只看该作者
sot-23  功率1.6W?这个参数肯定必须附加条件,否则没有一个管子扛得住。
所谓耗散功率,就是简单的用电压电流乘积去算就是了,在高频率开关条件下,则可能开关边沿功耗比静态功耗还大都说不定。

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5
YiMichael| | 2022-12-14 17:18 | 只看该作者
精辟!

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6
Siderlee| | 2022-12-23 09:14 | 只看该作者
Pd找个参数是一个在jedec标准下的稳态参数,标准一般在给热阻参数的时候会有说明(2盎司铜厚,四层电路板,一平方英寸大小(具体查查标准,记不太清了))

另外有一个参数可能也很关键,EAS

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7
Siderlee| | 2022-12-30 20:12 | 只看该作者
Siderlee 发表于 2022-12-23 09:14
Pd找个参数是一个在jedec标准下的稳态参数,标准一般在给热阻参数的时候会有说明(2盎司铜厚,四层电路板, ...

补充

对于楼主提到的vishay的器件,以下是计算的结果

Pd=1.6W  @Tc=25℃

这个参数与稳态热阻
Rthjf相乘得到温升
Tr=PdXRthjf=124.8℃

结温 Tj=Tr+Tc=149.8=150℃   (最大允许结温)

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