分立原件驱动NMOS全桥电路疑问

只看该作者 · 2020-5-5 15:52

在网上看到一个用分立元件做的NMOS全桥驱动，这个驱动介绍里说已经商用化成功，性能比较稳定。但是我看了半天也没明白，这个上桥臂的mos到底是怎么导通的

首先第一个疑问，当Q10导通的时候（上一个周期），VM给自举电容C6充电，当Q10截至的时候，C6左端电压为48，右端为12，这不就相当于电容极性接反了？电容不会爆炸吗

而且当D2H为低时，VM经过D5Q5D3，对Q4G极施加12伏电压，Q4怎么也没法导通的吧

按理来讲Q4的G极电压至少要比48伏高4,5伏才可以让Q4导通的呀，所以这个自举升压我没看明白怎么体现的

1万 · 2020-5-5 16:02

首先第一个疑问，当Q10导通的时候（上一个周期），VM给自举电容C6充电，当Q10截至的时候，C6左端电压为48，右端为12，这不就相当于电容极性接反了？电容不会爆炸吗.
答：电容的电压VC不能突变。所以当Q10截至的时候，C6左端电压为48，右端为48+VC=48+12=60V。瞬态突变时，电容相当于电压源。这个在《电路分析基础》第二册，讲怎么切换开关，那一瞬间，电容是怎么弄，电感怎么弄，都讲了。

只看该作者 · 2020-5-5 16:09

叶春勇发表于 2020-5-5 16:02
首先第一个疑问，当Q10导通的时候（上一个周期），VM给自举电容C6充电，当Q10截至的时候，C6左端电压为48， ...

谢谢大佬

1万 · 2020-5-6 16:14

上管是个反逻辑, 可能分析复杂一些

只看该作者 · 2020-5-6 23:27

叶春勇发表于 2020-5-5 16:02
首先第一个疑问，当Q10导通的时候（上一个周期），VM给自举电容C6充电，当Q10截至的时候，C6左端电压为48， ...

状态变化前，Q1,Q10导通，Q4/Q7截止，当D1H变为高，D1L变为低，D2H变为低，D2L变为高时，Q13和Q15导通，Q1和Q10先截止，然后C6两端电压经过R5,C2加在Q4上，Q4导通，C6左端电压48V，然后因为D5电流不能反向，所以电压被抬高，维持导通，这样就实现自举和死区的功能吧，请问分析的有没有问题，还有电机反向电动势是靠Q1和Q4里面寄生二极管释放掉的吧

分立原件驱动NMOS全桥电路疑问

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