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[电子元器件]

为什么MOS管一通电就击穿摧毁？在仿真没啥问题，就是做.....

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辣根来一根|  楼主 | 2020-5-8 18:04 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOS, MOS管, 仿真, os, AC

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沙发
叶春勇| | 2020-5-8 18:53 | 只看该作者
电路图有点吓人，pmos和nmos一起烧了？

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板凳
辣根来一根|  楼主 | 2020-5-8 19:01 | 只看该作者
叶春勇 发表于 2020-5-8 18:53
电路图有点吓人，pmos和nmos一起烧了？

对的，一起烧的，电路图就是随便的一画的，但连接都是正确的，做出实物就是一通电2个P管出现的炸裂，2个N管出现了击穿，这两个管子参数都是很大的

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地板
叶春勇| | 2020-5-8 19:11 | 只看该作者
电阻桥之间用纯电阻假负载，还是烧，可判定桥直通导致烧毁。其原因功率mos内部有等效电容，关断和导通，有延迟，导致上下管存在直通可能。
如果不烧毁，看看是不是感性负载导致

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评论
辣根来一根 2020-5-8 19:17 回复TA
当时我没有加任何负载，就是用万用表测量两个复合管的D级 
5楼
叶春勇| | 2020-5-8 19:22 | 只看该作者
用仿真软件，看看功率管电流，是否有尖峰

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6楼
叶春勇| | 2020-5-8 19:33 | 只看该作者

你这个电路有尖峰出现，我仿真了一下，输入电容在6nf

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7楼
辣根来一根|  楼主 | 2020-5-8 19:43 | 只看该作者
叶春勇 发表于 2020-5-8 19:33
你这个电路有尖峰出现，我仿真了一下，输入电容在6nf

大神，该如何改进呀

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8楼
gx_huang| | 2020-5-8 19:53 | 只看该作者
这电路不烧毁，天理难容，PMOS/NMOS必然会在一定时间内全导通。
找一个专用H桥驱动芯片不就完了。

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9楼
叶春勇| | 2020-5-8 20:01 | 只看该作者
辣根来一根 发表于 2020-5-8 19:43
大神，该如何改进呀

这种驱动芯片，是专门驱动mos管的。pmos和nmos桥
不过还是建议用ir2104，用四个NMOS去构建桥，ir2104芯片内部有死区时间延时


1457707278426.pdf

1.12 MB

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10楼
辣根来一根|  楼主 | 2020-5-8 20:13 | 只看该作者
叶春勇 发表于 2020-5-8 20:01
这种驱动芯片，是专门驱动mos管的。pmos和nmos桥
不过还是建议用ir2104，用四个NMOS去构建桥，ir2104芯片 ...

谢谢大神

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11楼
Siderlee| | 2020-5-8 21:10 | 只看该作者
dead time

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12楼
fzyuan| | 2020-5-9 09:44 | 只看该作者
必烧的电路结构。

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