为什么MOS管一通电就击穿摧毁？在仿真没啥问题，就是做.....

发表于 2020-5-8 18:53

电路图有点吓人，pmos和nmos一起烧了？

发表于 2020-5-8 19:01

叶春勇发表于 2020-5-8 18:53
电路图有点吓人，pmos和nmos一起烧了？

对的，一起烧的，电路图就是随便的一画的，但连接都是正确的，做出实物就是一通电2个P管出现的炸裂，2个N管出现了击穿，这两个管子参数都是很大的

发表于 2020-5-8 19:11

电阻桥之间用纯电阻假负载，还是烧，可判定桥直通导致烧毁。其原因功率mos内部有等效电容，关断和导通，有延迟，导致上下管存在直通可能。
如果不烧毁，看看是不是感性负载导致

发表于 2020-5-8 19:22

用仿真软件，看看功率管电流，是否有尖峰

登录 · 发表于 2020-5-8 19:33

你这个电路有尖峰出现，我仿真了一下，输入电容在6nf

发表于 2020-5-8 19:43

叶春勇发表于 2020-5-8 19:33
你这个电路有尖峰出现，我仿真了一下，输入电容在6nf

大神，该如何改进呀

发表于 2020-5-8 19:53

这电路不烧毁，天理难容，PMOS/NMOS必然会在一定时间内全导通。
找一个专用H桥驱动芯片不就完了。

登录 · 发表于 2020-5-8 20:01

辣根来一根发表于 2020-5-8 19:43
大神，该如何改进呀

这种驱动芯片，是专门驱动mos管的。pmos和nmos桥
不过还是建议用ir2104，用四个NMOS去构建桥，ir2104芯片内部有死区时间延时

发表于 2020-5-8 20:13

叶春勇发表于 2020-5-8 20:01
这种驱动芯片，是专门驱动mos管的。pmos和nmos桥
不过还是建议用ir2104，用四个NMOS去构建桥，ir2104芯片 ...

谢谢大神

发表于 2020-5-8 21:10

dead time

发表于 2020-5-9 09:44

必烧的电路结构。

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