本帖最后由 jack_ma 于 2011-12-16 14:40 编辑
本文以图示的方式与大家分享直流Vgs-id测试的步骤：
传统的只有直流的Vgs-id和通过4200-RBT，偏置T型接头的直流IV测试之间的主要区别是SMU的数量。通过偏置T型接头进行的直流IV测试，使用2个 SMU，其源和本体连接到地（SMA的同轴电缆屏蔽层）。
在4200脉冲IV测量CMOS晶体管过程中，直流Vgs-id[1]的测试如图8和图9所示。
图8.
直流Vgs-id ITM definition选项页
图9.
直流Vds-id ITM
Graph选项页
Vgs–id-pulse[2]测试如图10和图11所示。
图10.
Vds-id-pulse UTM definition选项页
图11.
Vgs-id-pulse UTM Graph选项页
由于脉冲测试是UTMS（用户测试模块），所以参数是通过图7所示的表格界面来改变的。
图7.
脉冲Vds-id UTM definition选项页
自加热的Vds-id和无自加热的Vds-id
该项目的测试类似于如上描述的Vds-id直流和脉冲测试，但是需要在门极和漏极电压做些修改来引起直流ITM测试结果的自加热。脉冲测试使用相同的参数值，但是脉冲的低占空比（0.1％或更低）不会引起DUT的自加热。图12是直流结果的图形，但是叠加上了一个基于脉冲的Vds-id曲线。
图12.
Vds-id-noselfheating
UTM
Graph选项页。暗红的宽曲线是脉冲结果，对应于最上面的直流曲线（窄蓝线）。
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[1] Vds-id http://www.keithley.com.cn/semi/4200scs/iv
[2] Vgs–id-pulse http://www.keithley.com.cn/data?asset=4660
[3] 4200-PIV
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