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图释4200脉冲IV测量CMOS晶体管中直流Vgs-id测试

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jack_ma|  楼主 | 2011-12-15 17:08 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
本帖最后由 jack_ma 于 2011-12-16 14:40 编辑

本文以图示的方式与大家分享直流Vgs-id测试的步骤:
传统的只有直流的Vgs-id和通过4200-RBT,偏置T型接头的直流IV测试之间的主要区别是SMU的数量。通过偏置T型接头进行的直流IV测试,使用2 SMU,其源和本体连接到地(SMA同轴电缆屏蔽层)。

4200脉冲IV测量CMOS晶体管过程中,直流Vgs-id[1]的测试如图8和图9所示。


8.
直流Vgs-id ITM definition选项页



9.
直流Vds-id ITM
Graph选项

Vgs–id-pulse[2]测试如图10和图11所示



10.
Vds-id-pulse UTM
definition选项页



11.
Vgs-id-pulse UTM
Graph选项

由于脉冲测试是UTMS(用户测试模块),所以参数是通过图7所示的表格界面来改变的。



7.
脉冲Vds-id UTM definition选项页


自加热的Vds-id和无自加热的Vds-id

该项目的测试类似于如上描述的Vds-id直流脉冲测试,但是需要在门极和漏极电压做些修改来引起直流ITM测试结果的自加热。脉冲测试使用相同的参数值,但是脉冲的低占空比(0.1%或更低)不会引起DUT的自加热。图12直流结果的图形,但是叠加上了一个基于脉冲的Vds-id曲线。






12.
Vds-id-
noselfheating
UTM
Graph选项页。暗红的宽曲线是脉冲结果,对应于最上面的直流曲线(窄蓝线)。


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[1] Vds-id http://www.keithley.com.cn/semi/4200scs/iv

[2] Vgs–id-pulse http://www.keithley.com.cn/data?asset=4660

[3] 4200-PIV
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