MOS管导通时VDS的下降一般滞后于Id的上升

只看该作者 · 2020-5-13 11:03

本帖最后由芝麻开门门不开于 2020-5-13 11:04 编辑

请教大侠如题，哪种情况下出现VDS、ID几乎同时动作？

只看该作者 · 2020-5-13 11:52

关闭时基本上符合：VDS先升到母线，ID随后才下降。请教版主及众大侠，为何出现开通时ID、VDS同步过渡的状况？和VGS形状有关系还是和不同厂家MOS特性相关？

只看该作者 · 2020-5-13 11:53

VDS和ID状态只取决于负载特性，如果是理想纯阻性，这就完全呈负相关，否则不是滞后就是超前。原因很简单，负载的感性或容性、容性感性共存，其实现实环境，则不存在完全阻性的负载，哪怕线路走线分布和器件封装都有寄生电感和杂散电容。

只看该作者 · 2020-5-13 12:18

感谢tianxj01的回复，负载确实是感性的。
ID的上升是符合Vgs（th）到达即快速上升，并无滞后，上升速度如图100ns上升到40A，这个40A是绕组里面的电流开通前就存在，并非从0充到40A，可以理解MOS接续了电流而已。现在问题是ID是和器件手册的开通特性相符的，感觉不是ID滞后，而是VDS抢跑了。