MOS管导通时VDS的下降一般滞后于Id的上升

登录 · 发表于 2020-5-13 11:03

本帖最后由芝麻开门门不开于 2020-5-13 11:04 编辑

请教大侠如题，哪种情况下出现VDS、ID几乎同时动作？

发表于 2020-5-13 11:52

关闭时基本上符合：VDS先升到母线，ID随后才下降。请教版主及众大侠，为何出现开通时ID、VDS同步过渡的状况？和VGS形状有关系还是和不同厂家MOS特性相关？

发表于 2020-5-13 11:53

VDS和ID状态只取决于负载特性，如果是理想纯阻性，这就完全呈负相关，否则不是滞后就是超前。原因很简单，负载的感性或容性、容性感性共存，其实现实环境，则不存在完全阻性的负载，哪怕线路走线分布和器件封装都有寄生电感和杂散电容。

发表于 2020-5-13 12:18

感谢tianxj01的回复，负载确实是感性的。
ID的上升是符合Vgs（th）到达即快速上升，并无滞后，上升速度如图100ns上升到40A，这个40A是绕组里面的电流开通前就存在，并非从0充到40A，可以理解MOS接续了电流而已。现在问题是ID是和器件手册的开通特性相符的，感觉不是ID滞后，而是VDS抢跑了。

发表于 2020-5-14 09:06

芝麻开门门不开发表于 2020-5-13 12:18
感谢tianxj01的回复，负载确实是感性的。
ID的上升是符合Vgs（th）到达即快速上升，并无滞后，上升速度如图 ...

你看见所谓的抢跑，其实只是瞬间电流有滞后的表现，说明线路不但有感性还有容性呢。仅此而已......

发表于 2020-5-15 08:40

本帖最后由 Siderlee 于 2020-5-15 08:41 编辑

同时动作，那都是过度过程

你这个应该是正常的，看样子有二极管的反向恢复

你的电路是个什么拓扑？

登录 · 发表于 2020-5-15 16:59

@Siderlee 是的 Id有反向恢复叠加过冲。我的拓扑是3相桥6开关。
我理解正常的开通和关断是如下特征：

一般开通是Id先动到位后VDS才会下降，我在一款应用中出现了如图的同步动作，这是什么因素影响它？希望大家解惑

发表于 2020-5-22 10:44

除非Cgs、Cgd都同步在充电！一般都是先充Cgs，微量充Cgd，Vgs达到门限，ID线性上升，饱和后充Cgd，Vgs米勒平台持续 Vds下降到完全导通后Vgs继续上升到驱动电源电压。难道是英飞凌的管子做了优化？

MOS管导通时VDS的下降一般滞后于Id的上升

本帖子中包含更多资源

相关帖子

本帖子中包含更多资源

浏览过的版块

核心会员奖章

坚毅之洋流

十世金身

技术领袖奖章