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请教：关于可控硅的du/dt的保护措施

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小研究|  楼主 | 2020-5-15 21:01 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
可控硅, SCR, IGBT, GB, rc
各位大神，小弟目前在做一个特殊的设计，如图。
可控硅SCR与IGBT相串联，分别单独控制，正常情况下是先导通IGBT，但奇怪的是，在没有触发SCR的情况下，会非常频繁的出现可控硅与IGBT直通的情况，从而炸管。
几经分析后，认为是可控硅的du/dt不能过大，当IGBT打开时，由于igbt的打开速度非常快，必然导致SCR两端的电压发生极速变化，从而导致SCR误导通。
能自然而然的想到的是加RC吸收，但是RC吸收里的R再小，总大过SCR的等效电阻，感觉这个作用不大。
想直接并联一个222的电容在SCR两端，还没实施，另外，也有人想在SCR上端与VDC之间串联一个小电感，都还没实施。
想等论坛里的大神们的指导，边测边试。
谢谢。

串联SCR.png (19.64 KB )

可控硅串联IGBT

可控硅串联IGBT

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沙发
王栋春| | 2020-5-15 21:08 | 只看该作者
在晶闸管G K间加入RC电路是不是有效

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板凳
小研究|  楼主 | 2020-5-15 21:27 | 只看该作者
王栋春 发表于 2020-5-15 21:08
在晶闸管G K间加入RC电路是不是有效

没试过，目前各方面搜集的资料分析根源是可控硅AK两端的du/dt。说说您的依据？

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地板
王栋春| | 2020-5-15 21:59 | 只看该作者
小研究 发表于 2020-5-15 21:27
没试过，目前各方面搜集的资料分析根源是可控硅AK两端的du/dt。说说您的依据？ ...

理论上不会表述 只是在实际电路当中见到过这种电路形式

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5楼
Siderlee| | 2020-5-15 22:03 | 只看该作者
可能还是在scr并联电容更有效

如果真是du/dt，门级处理可能解决不了问题，降低静态时两个器件的分压可能会起作用

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6楼
小研究|  楼主 | 2020-5-16 18:13 | 只看该作者
Siderlee 发表于 2020-5-15 22:03
可能还是在scr并联电容更有效

如果真是du/dt，门级处理可能解决不了问题，降低静态时两个器件的分压可能会 ...

目前是打算是在SCR上口加一个小电感，通过限制来di/dt来限制du/dt。加电容还没试。

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评论
小研究 2020-5-19 10:02 回复TA
@Siderlee ：谢谢您。还没测试完。加电感的话也倒不怕，可控硅并联一个二极管续流就行了。 
Siderlee 2020-5-17 17:16 回复TA
电感这里不建议加，要加还得考虑嵌位，不然在关断的时候会产生电压尖峰 
7楼
小研究|  楼主 | 2020-5-16 18:14 | 只看该作者
king5555 发表于 2020-5-15 23:30
但是RC吸收里的R再小，总大过SCR的等效电阻，感觉这个作用不大。
不是这样，SCR在载止时，其等效电阻视为开 ...

GK之间直接加电容？贴出什么意思？铁片封装？容值多大规模？我的可控硅是30TPS12,额定30A。
谢谢。

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8楼
小研究|  楼主 | 2020-5-19 10:05 | 只看该作者
king5555 发表于 2020-5-16 22:00
是说要贴出更完整线路。才能清楚判断误触发，是du/dt过小还是由G极触发的。G丶K极若并联电容可以吸收掉G ...

这个电路实际上是个H桥，但在没有触发SCR的情况下，半臂就直通，甚至把SCR的门极驱动电路拿掉也会出现。所以，为了问题简单明了，就没贴其他部分。

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9楼
小研究|  楼主 | 2021-4-30 10:45 | 只看该作者
最终用了4个IGBT管子，用了特殊的自举方式，产品完美解决了。
但是可控硅的抗干扰问题，一直还是个难题。

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