请教:关于可控硅的du/dt的保护措施

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小研究|  楼主 | 2020-5-15 21:01 | 显示全部楼层 |阅读模式
各位大神,小弟目前在做一个特殊的设计,如图。
可控硅SCR与IGBT相串联,分别单独控制,正常情况下是先导通IGBT,但奇怪的是,在没有触发SCR的情况下,会非常频繁的出现可控硅与IGBT直通的情况,从而炸管。
几经分析后,认为是可控硅的du/dt不能过大,当IGBT打开时,由于igbt的打开速度非常快,必然导致SCR两端的电压发生极速变化,从而导致SCR误导通。
能自然而然的想到的是加RC吸收,但是RC吸收里的R再小,总大过SCR的等效电阻,感觉这个作用不大。
想直接并联一个222的电容在SCR两端,还没实施,另外,也有人想在SCR上端与VDC之间串联一个小电感,都还没实施。
想等论坛里的大神们的指导,边测边试。
谢谢。

可控硅串联IGBT

可控硅串联IGBT

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王栋春| | 2020-5-15 21:08 | 显示全部楼层
在晶闸管G K间加入RC电路是不是有效

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小研究|  楼主 | 2020-5-15 21:27 | 显示全部楼层
王栋春 发表于 2020-5-15 21:08
在晶闸管G K间加入RC电路是不是有效

没试过,目前各方面搜集的资料分析根源是可控硅AK两端的du/dt。说说您的依据?

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王栋春| | 2020-5-15 21:59 | 显示全部楼层
小研究 发表于 2020-5-15 21:27
没试过,目前各方面搜集的资料分析根源是可控硅AK两端的du/dt。说说您的依据? ...

理论上不会表述 只是在实际电路当中见到过这种电路形式

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Siderlee| | 2020-5-15 22:03 | 显示全部楼层
可能还是在scr并联电容更有效

如果真是du/dt,门级处理可能解决不了问题,降低静态时两个器件的分压可能会起作用

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小研究|  楼主 | 2020-5-16 18:13 | 显示全部楼层
Siderlee 发表于 2020-5-15 22:03
可能还是在scr并联电容更有效

如果真是du/dt,门级处理可能解决不了问题,降低静态时两个器件的分压可能会 ...

目前是打算是在SCR上口加一个小电感,通过限制来di/dt来限制du/dt。加电容还没试。

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小研究 2020-5-19 10:02 回复TA
@Siderlee :谢谢您。还没测试完。加电感的话也倒不怕,可控硅并联一个二极管续流就行了。 
Siderlee 2020-5-17 17:16 回复TA
电感这里不建议加,要加还得考虑嵌位,不然在关断的时候会产生电压尖峰 
小研究|  楼主 | 2020-5-16 18:14 | 显示全部楼层
king5555 发表于 2020-5-15 23:30
但是RC吸收里的R再小,总大过SCR的等效电阻,感觉这个作用不大。
不是这样,SCR在载止时,其等效电阻视为开 ...

GK之间直接加电容?贴出什么意思?铁片封装?容值多大规模?我的可控硅是30TPS12,额定30A。
谢谢。

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小研究|  楼主 | 2020-5-19 10:05 | 显示全部楼层
king5555 发表于 2020-5-16 22:00
是说要贴出更完整线路。才能清楚判断误触发,是du/dt过小还是由G极触发的。G丶K极若并联电容可以吸收掉G ...

这个电路实际上是个H桥,但在没有触发SCR的情况下,半臂就直通,甚至把SCR的门极驱动电路拿掉也会出现。所以,为了问题简单明了,就没贴其他部分。

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小研究|  楼主 | 2021-4-30 10:45 | 显示全部楼层
最终用了4个IGBT管子,用了特殊的自举方式,产品完美解决了。
但是可控硅的抗干扰问题,一直还是个难题。

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