意法半导体发布新抗辐射加固器件，提高航天应用能效
推出辐射耐受性更强的整流管和业界首个额定SEB (单粒子烧毁)的高压肖特基二极管
发布时间：2020-05-14
来源：ST社区
标签：航天意法半导体新抗辐射加固器件
中国，2020年5月14 日——为了进一步扩大航天级抗辐射加固功率器件的产品组合，意法半导体推出了新的已通过ESCC（欧洲航天元器件协调委员会）认证的200V和400V功率整流管，以及45V和150V抗SEB[1]效应的肖特基整流管。
新推出的抗辐射加固肖特基二极管包括SEB耐量高达61MeV/cm2/mg LET (线性能量传递)的45V和150V产品，这两款产品是业界首款额定SEB的肖特基二极管产品，适用于多种转换器拓扑。150V和45V产品都可以直连100V和28V卫星电源总线。在40A/125°C时，150V器件的正向电压(VF)最大值为0.78V；45V器件的最大正向电压(VF)为0.61V。
意法半导体总共推出了5款ESCC认证双共阴极肖特基器件，其中，STPS40A45C是一个TO-254AA通孔封装45V/2x20A二极管；STPS80A45C 45V/2x40A、STPS60A150C 150V/2x30A和STPS80A150C 150V/2x40A是SMD.5密封表面贴装器件。STPS40A150C 150V/2x20A是TO254AA封装。
新推出的整流二极管是TO-254AA封装的STTH40200C 200V/2x20A双二极管，以及SMD1密封贴装的STTH60200C 200V/2x30A双二极管和STTH60400 400V/60A单二极管。
意法半导体的新抗辐射整流管和肖特基二极管的表征测试证明，可耐受高达3 Mradf(硅)的电离总剂量(TID)辐射，保证压降在四个工作电流值下不退化，因此，多个不同的电源设计可以共用一种器件，简化应用设计。
这些产品在意法半导体法国雷恩工厂制造，采用与意法半导体AEC-Q101汽车级认证产品相同的平面制造工艺，产品质量出色、有保证。意法半导体雷恩工厂制造的航天器件取得了飞行40余年无失效的成就。
目前新产品大多数型号都有货，询价和申请样品，请联系当地意法半导体销售办事处。
详情访问www.st.com/rad-hard-diodes-pr。
[1] SEB: 单粒子烧毁–重度电离辐射（例如：太空应用中的宇宙射线）导致的电子元器件毁坏。
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