本帖最后由 xiaonong 于 2020-5-28 12:38 编辑
若是,集电极电流就不是【集电区】【等待】发射区电子冲过来造成的吧?
如果集电极电流是【集电区】区域【等待】发射区电子冲过来造成的,集电极电流和发射极电流就不会是同时产生的啊!!
如果自由电子【进入】基区(即发射极电流)和自由电子【进入】集电区(即集电极电流),的【动作】,是【同时发生】的,
那么可是刚开始发射区电子【进入】基区的时候,----
基区【现有的】自由电子很少,如果自由电子【进入】基区(就是发射极电流),与自由电子【进入】集电区(集电极电流)【同时发生】,
【基区里】【现有的】 (注意是现有的!)自由电子却不能变成需要的很大的集电极电流【进入】集电区,
因为自由电子在基区是少子,几乎没有,就算这些自由电子全部【被挤出】【进入】集电区,也不会形成大的集电极电流,
可是三极管的原理就是集电极电流与发射极电流几乎相等!是发射极电流的大部分!
除非,不光是自由电子,当自由电子【进入】基区,与自由电子【进入】集电区同时发生的时候,【基区】里的硅-硅共价键上的【价电子】也被【挤出来】了,可【价电子】不是很牢固吗?能被【挤出】吗?
主要是基尔霍夫电流定律怎么理解?---环路里任何一点,任一时刻,流入的电荷=流出的电荷,如果基区【进口】Ie 与 【出口】Ic 【进出】【动作】【同时发生】,那么KCL成立,否则【基区】里中性区就会发生电荷累积!不再中性!! |