关于TVS管漏电流的问题

发表于 2009-4-1 14:29

在TVS管的datasheet上一般都有一个说明：“For bidirectional type having VR of 10 volts and less,the IR limit is double.”<br />能否这样理解：在VR为10V或10V以下的双向TVS管，漏电流IR的极限值是给出值的两倍？<br />另：一般情况下，击穿电压VBR在10V以下，漏电流就越大，有没有VBR在10V以下，漏电流比较小的TVS管？？

发表于 2009-4-2 10:12

想知道！

发表于 2009-4-3 08:27

发表于 2010-4-11 15:26

我也想知道,为什么击穿电压小的TVS管,漏电流那么大呢?
几十甚至几百微安的漏电流...那TVS都相当于几K 的电阻了,对电路的影响太大了!

发表于 2010-4-12 10:17

tvs就是这样的

发表于 2010-4-12 13:19

我测试过SMBJ8.0的TVS管，在6V输入时的漏电为10uA

发表于 2010-4-12 16:33

也想看看

发表于 2015-9-28 09:28

低压的TVS一般是齐纳击穿的原理，高压的TVS采用雪崩击穿原理，齐纳击穿一般发生在掺杂浓度高的PN结，因浓度高则空间电荷区的电荷密度大，宽度窄，只需不高的反向电压即有很强的电场，发生齐纳击穿。雪崩击穿则反之。

发表于 2018-3-6 15:22

TVS漏电流太大，不适合用于电池设备

发表于 2018-3-25 15:30

你看能否用稳压二极管代替，稳压二极管漏电要小一些

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ding

高手怎么都不回答啊

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