关于FALSH读写速度的问题（EEPROM和SPI FLASH）

只看该作者 · 2020-6-3 15:36

项目上需要分析一段时间的数据。
数据是5mS一次中断采集的数据一次数据是10个字节
如何能保证采集到500条这样的数据并且不丢失。

环境:  设备放在转台上测量陀螺仪的角速度的值拿出来做分析  因为转台跟这边的接线存在问题，所以就只能放在内部，然后拿下转台在读出数据进行分析

想法: 存储在RAM内， mcu是C8051 24M  4Kram 内存不够。
      所以只能分时写入到存储设备中。
      1.EERPOM
      2.SPI FLASH
      3.FRAM
   我看了下 EERPOM AT24C64（8K字节，一页是8个8/16字节）有一个页时间是5ms （Self-timed Write Cycle Within 5ms Max）如果我的数据是5ms 一次一次写10字节  会不会被中断打断（模拟iic）？从而丢失了数据？
      SPI FLASH的 W25Q16 Page Program Time 3ms (max) 典型值 0.4s
                                       Sector Erase Time    50-400ms
                                       Chip Erase Time       15-20s

如果参考上述的资料在页的写的时候  spi的速度要快一写可能是0.4-3ms 就完成了整个页的写入(512字节)

针对SPI FLASH 需要擦除的问题我可以用上位机来进行发送命令来完成对他的删除，  时间可控的。  在写入的时候是不需要考虑这点。

3. FRAM  价格贵。速度不知道如何。  不过这是一个demo板，可以不用考虑价格。

希望做过类似给出点宝贵的经验。