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[电子元器件]

请教xukun977模拟电子技术问题,三极管的饱和压降为啥是0.3...

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楼主
eyuge2|  楼主 | 2020-6-6 15:43 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
以NPN三极管例,发射结保持正向偏置0.7V。发射极是0电位参考点。

集电极电压发送比较大的变化,比如从比较高电压例如5V,降低到比较低的电压,比如饱和电压0.3V。
导致集电结的由反向偏置,转为零偏置,最后是正向偏置。

由发射极扩散过来的电子,在集电结内部电场的作用下发生漂移。这个漂移受集电结的内部电场控制,现在集电结偏置都改变了,电场肯定改变很大。
为啥电流直流放大倍数β,直到饱和电压0.3V都没有怎么变化呢?

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沙发
eyuge2|  楼主 | 2020-6-6 16:28 | 只看该作者
king5555 发表于 2020-6-6 16:16
饱和电压0.3V以下, 导致集电结的由反向偏置转为顺偏,造成原有基极电流被分流,致使集极电流下降。上面你 ...

0.3V是VCE的电压,此时VBC=VBE-VCE=0.7-0.3=0.4V。已经正偏过了。

VCE从5V到0.3V的过程中,集电结经历了 反偏,零偏,正偏。

为何对直流放大倍数β没有什么影响?

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板凳
eyuge2|  楼主 | 2020-6-6 22:39 | 只看该作者
电子从基区到集电区,是靠漂移。正偏,反偏,集电结的电场变化很大,漂移必然受到很大影响。

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不奇怪 2020-6-7 14:19 回复TA
集电结有内建电场,正偏只是减弱了内建电场。 
不奇怪 2020-6-7 13:53 回复TA
集电结就像个瀑布,水流量与落差关系不大。直到落差小于水深,才开始明显影响。 
地板
gx_huang| | 2020-6-7 09:44 | 只看该作者
如果电子技术老是站在物理角度考虑,浪费很多精力,你又不会去设计三极管。

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eyuge2|  楼主 | 2020-6-7 09:54 | 只看该作者
gx_huang 发表于 2020-6-7 09:44
如果电子技术老是站在物理角度考虑,浪费很多精力,你又不会去设计三极管。 ...

哈哈,言重了。
也没有花太多精力,只是模拟电路上会介绍三极管工作原理方面的知识,没有太读懂。平时公司也没有人可以交流这方面东西。

21ic的人多很多,正好看到xukun977说愿意解答相关知识,所以想请教一下。

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6
HWM| | 2020-6-7 10:34 | 只看该作者
eyuge2 发表于 2020-6-7 09:54
哈哈,言重了。
也没有花太多精力,只是模拟电路上会介绍三极管工作原理方面的知识,没有太读懂。平时公 ...

这个问题论坛里之前早就讨论过,不是什么新鲜话题了。

就端口变量关系而言,几乎任何一本相关教科书内都有明确表述,规定了饱和区间(分界处通常称为临界饱和)。你所给的情况显然已经进入了较深的饱和状态。

就器件原理而言,相关教科书也给出了基区少子(NPN是电子)密度分布与相关概念的对应关系。这是器件原理层面所表述的饱和概念(具体查相关帖子或相关教科书)。

大致上,进入临界饱和后BJT的电流放大倍数就已经开始下降,越是深入饱和其下降得越明显。

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HWM 2020-6-11 10:35 回复TA
@pjy :我在下面回帖中给出了相关图,懂吗? 
pjy 2020-6-10 17:19 回复TA
大湿,别乱喷接话,坑人 
7
eyuge2|  楼主 | 2020-6-7 10:46 | 只看该作者
HWM 发表于 2020-6-7 10:34
这个问题论坛里之前早就讨论过,不是什么新鲜话题了。

就端口变量关系而言,几乎任何一本相关教科书内都 ...

好,多谢提醒。能不能把你觉得很好回答这个问题的帖子的链接贴出来?

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8
HWM| | 2020-6-7 11:01 | 只看该作者
eyuge2 发表于 2020-6-7 10:46
好,多谢提醒。能不能把你觉得很好回答这个问题的帖子的链接贴出来?

链接就不给了,记得相关帖子有好几个。在此,给些图看看吧:

4F7D8E0D-1BD5-418F-9371-8427286E333A.png (154.5 KB )

4F7D8E0D-1BD5-418F-9371-8427286E333A.png

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eyuge2 2020-6-11 17:35 回复TA
回过头来看,这个帖子是对的。只是知识差距太大,没有看懂 
9
xukun977| | 2020-6-7 11:02 | 只看该作者


线性电路相比于非线性电路,只所以简单十万八千倍,根本原因在于前者满足叠加原理。

叠加原理,可以出奇制胜。三极管饱和工作,同样要使用叠加原理,理解起来就容易多了。

饱和=有源+反向。




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10
HWM| | 2020-6-7 11:04 | 只看该作者
此图摘自器件原理教科书,注意其与《模拟电路》类教科书中的“定义”是一致的。

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11
xukun977| | 2020-6-7 11:28 | 只看该作者
HWM 发表于 2020-6-7 10:34
这个问题论坛里之前早就讨论过,不是什么新鲜话题了。

就端口变量关系而言,几乎任何一本相关教科书内都 ...


楼主这个问题,跑普通教科书上查不到的,不要瞎子点灯白费蜡了。

逻辑太简单了,如果教课上俯拾皆是,唾手可得,他会跑论坛上发帖?大家都是识字的。。。

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12
Lgz2006| | 2020-6-7 19:41 | 只看该作者
电流直流放大倍数β,直到饱和电压0.3V都没有怎么变化。这个前题就错得没有影儿,还往下讨论个毛。

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13
Lgz2006| | 2020-6-7 19:45 | 只看该作者
这个“β”值可以是从大于零到最大值之间的任意值。

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14
xukun977| | 2020-6-7 20:12 | 只看该作者


在饱和区hFE还是很大的,hfe→0:







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15
Lgz2006| | 2020-6-7 20:30 | 只看该作者
半导体基础,晶体管原理,电子电路,恨不得混一块儿端上来。

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16
eyuge2|  楼主 | 2020-6-8 09:17 | 只看该作者
本帖最后由 eyuge2 于 2020-6-8 15:12 编辑
Lgz2006 发表于 2020-6-7 19:41
电流直流放大倍数β,直到饱和电压0.3V都没有怎么变化。这个前题就错得没有影儿,还往下讨论个毛。 ...

错了,直接指出来,没有关系。

在用三极管设计开关电路的时候,我的师父是这样教的。

加大基极电流,让三极管饱和。怎么知道饱和?
VCE是0.3V左右就饱和了。基极电流乘以直流放大倍数,再计算RC上压降,得到C极上的电压。

这个过程,没有提到β会变化,所以我以为β是不变的,或者说基本不变

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17
eyuge2|  楼主 | 2020-6-8 13:52 | 只看该作者
本帖最后由 eyuge2 于 2020-6-8 14:00 编辑

https://www.onsemi.cn/PowerSolutions/document/MMBT5401LT1-D.PDF

这是一个PNP的三极管。
VCE的电压可能需要加上负号。暂时忽略这个细节。

以IC=1.0mA这条线来看,在VCE=0.7V的附近,电流放大倍数没有明显改变。
这应该属于临界饱和。

在VCE=0.3V,或者更小,电流放大倍数发生明显改变。

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18
eyuge2|  楼主 | 2020-6-8 15:55 | 只看该作者
Lgz2006 发表于 2020-6-7 19:41
电流直流放大倍数β,直到饱和电压0.3V都没有怎么变化。这个前题就错得没有影儿,还往下讨论个毛。 ...


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19
Lgz2006| | 2020-6-8 16:18 | 只看该作者


就喜欢看图说话

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20
eyuge2|  楼主 | 2020-6-8 16:45 | 只看该作者
Lgz2006 发表于 2020-6-8 16:18
就喜欢看图说话

你是来搞笑的吗?不做测量,你能根据这个电路估算β?做人要厚道。

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