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PMOS高边驱动 保护电路

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本帖最后由 windzhanglei 于 2020-6-12 12:08 编辑

图1 是网上看到的。在PMOS的G和S直接加了稳压二极管。我想他的意思应该是为了防止Vgs过压:情况一、当G极出现较大尖峰电压,稳压二极管D411正向导通,形成泄放回路,起到保护作用;情况二,当S极出现相对G极的较大尖峰,稳压二极管工作,把Vgs电压稳定在PMOS可以承受的范围内。对应第二点有些疑问:出现第二条这张情况的时候,如果没想控制PMOS导通,稳压二极管D411工作以后把Vgs维持在一个合适的电压,这个时候PMOS导通了啊!感觉这中保护,还不如炸个管子。还是我的理解处理问题。
换成开关二极管可以吗,如果S极(电源+)有尖峰脉冲,s和D极是等电位的,没关系,只要保证这个尖峰脉冲不要超过VDS最大值就行,改成图3。D8是VR 60V肖特基二极管或者稳压二极管





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图1

图1

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图2

图2

1591928280(1).png (45.16 KB )

图3

图3

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沙发
LcwSwust| | 2020-6-12 11:23 | 只看该作者
干脆给GS并个电容

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windzhanglei|  楼主 | 2020-6-12 11:25 | 只看该作者
LcwSwust 发表于 2020-6-12 11:23
干脆给GS并个电容

S和G之间并个电容是不是影响PMOS开关速度,发热增加

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coody| | 2020-6-12 17:08 | 只看该作者
用在12V就不需要稳压管。

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windzhanglei|  楼主 | 2020-6-13 09:56 | 只看该作者
coody 发表于 2020-6-12 17:08
用在12V就不需要稳压管。

还有一个问题,这个需要在G和S之间加电容,考虑启动电流吗?

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