关于场效应管ＩＣ描述的疑问

登录 · 发表于 2020-6-15 00:42

各位大神，有个片子，如下简绍，其中红圈中描述：
　　　　　1. combines low gate threshold (fully enhanced at 2.5V) with high breakdown voltage of 30V
2. Gate-Source voltage +- 8V
怎么理解？　是指栅极电压达到２.５Ｖ　　，漏源就可以完全导通吗？　　每二条又怎么理解

　如果是２.５Ｖ就可以使漏源完全导通，那是不是可以用３.３Ｖ的单片机ＩＯ口直接触发呢

发表于 2020-6-15 16:42

一个是vth，用作开关状态的门槛电压。
一个是vgs，是最高耐压，超过了±8V，mos管会损坏。
你发的datasheet，这个mos管是为低压设计的。开关电源上的mos管，有的是±30V耐压

发表于 2020-6-16 16:10

这个管可以用3.3V直接驱动的，不需要2.5V就已经导通了，你这图上没用vth，我估计应该是0.7V左右

发表于 2020-6-21 21:47

这实际上是 MOSFET 的, 这个 MOS 还是低压驱动的, 不错

[电源技术资料] 关于场效应管ＩＣ描述的疑问

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