发新帖我要提问
返回列表
打印
[电源技术资料]

关于场效应管ＩＣ描述的疑问

[复制链接]
799|3
手机看帖
扫描二维码
随时随地手机跟帖
跳转到指定楼层
楼主
caihong001|  楼主 | 2020-6-15 00:42 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
场效应管, TE, ge, AC, voltage
各位大神，有个片子，如下简绍，其中红圈中描述：
　　　　　1. combines low gate threshold (fully enhanced at 2.5V) with high breakdown voltage of 30V
                2. Gate-Source voltage    +- 8V
   怎么理解？　是指栅极电压达到２.５Ｖ　　，漏源就可以完全导通吗？　　每二条又怎么理解

　如果是２.５Ｖ就可以使漏源完全导通，那是不是可以用３.３Ｖ的单片机ＩＯ口直接触发呢



11.png (107 KB )

11.png

使用特权

评论回复 赏

相关下载

相关帖子
沙发
叶春勇| | 2020-6-15 16:42 | 只看该作者
一个是vth，用作开关状态的门槛电压。
一个是vgs，是最高耐压，超过了±8V，mos管会损坏。
你发的datasheet，这个mos管是为低压设计的。开关电源上的mos管，有的是±30V耐压

使用特权

评论回复 赏
板凳
Jenghiz| | 2020-6-16 16:10 | 只看该作者
这个管可以用3.3V直接驱动的，不需要2.5V就已经导通了，你这图上没用vth，我估计应该是0.7V左右

使用特权

评论回复 赏
地板
airwill| | 2020-6-21 21:47 | 只看该作者
这实际上是 MOSFET 的, 这个 MOS 还是低压驱动的, 不错

使用特权

评论回复 赏
返回列表
发新帖 我要提问
高级模式
B Color Image Link Quote Code 收费 Smilies
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

caihong001

46

主题

91

帖子

1

粉丝