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请教片内FLASH地址问题

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kaloulin|  楼主 | 2018-7-3 13:20 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
请问我们的程序烧写到芯片的什么地方?
我看工程配置Target那里IROM1是从0x08000000开始0x80000(512K)大的区域。code是从0x08000000开始写吗?

#define FLASH_BASE            ((uint32_t)0x08000000) /*!< FLASH base address in the alias region */

在官方库例程里,FLASH的写地址是0x08008000~0x0800C000,这是固定的?还是人为划分这一块来用的?

那我烧写完程序之后,又往0x08008000这里写入数据,会不会破坏了烧进去的代码啊?

比如我用103VET   512K的flash,2K/page。  真的是从0x08000000开始每2K一页地存储CODE吗?  我是否在编译过后查看Program Size那里的code大小来安排我存储数据的地址呢?RO-data RW-data ZI-data 这三个东西需要考虑吗?

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