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IR2110驱动mos管,振铃现象严重

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本帖最后由 fengxiangru 于 2011-12-24 14:55 编辑

原理图如下,上管输出波形也如下。现在我把栅极电阻从100换到1K,栅极的振铃现象还是非常的严重,求高人指教。

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沙发
fengxiangru|  楼主 | 2011-12-24 14:56 | 只看该作者
上面已经上我把栅极电阻改成1K的时候上管的输出波形了,振铃现象还是很严重。

需要补充的是,我用的mos管是100V,290A,Qg比较大,栅极电容也比较大。

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板凳
fengxiangru|  楼主 | 2011-12-24 15:31 | 只看该作者
本帖最后由 fengxiangru 于 2011-12-24 15:33 编辑

再传一张上管的波形图[img][/img]

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地板
xiaoyuan_ly| | 2011-12-24 17:44 | 只看该作者
这个问题应该不是驱动方面引起的,这个情况你是带载后地结果吧??!!
你的下管应该没有类似的情况吧,我想是浮地,你没有处理带载后浮地电平地变化。浮地的基准在变化引起的,还是负载的情况,你没有考虑的缘故。 按你的电路图看,负载在浮地点没有释放回路。

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xiaoyuan_ly| | 2011-12-24 17:46 | 只看该作者
补充下,你可以带个纯阻的,应该没你说的那么严重

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xiaoyuan_ly| | 2011-12-24 19:33 | 只看该作者
没注意你的频率,你的频率是多少啊???!!!    太高的频率是无法充分完成自举的。。。

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fengxiangru|  楼主 | 2011-12-26 08:39 | 只看该作者
4# xiaoyuan_ly
的确是带载后才产生的问题,下管的确没有这样的问题,我来看看上管的回路

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fengxiangru|  楼主 | 2011-12-26 08:45 | 只看该作者
这个问题应该不是驱动方面引起的,这个情况你是带载后地结果吧??!!
你的下管应该没有类似的情况吧,我想是浮地,你没有处理带载后浮地电平地变化。浮地的基准在变化引起的,还是负载的情况,你没有考虑的缘故。  ...
xiaoyuan_ly 发表于 2011-12-24 17:44

如何在浮地点增加释放回路呢?

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fengxiangru|  楼主 | 2011-12-26 08:45 | 只看该作者
6# xiaoyuan_ly

自举没有问题

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10
zhaohe2001| | 2011-12-26 13:20 | 只看该作者
初步判断这个震荡和栅极电阻没关系,应该是MOS的寄生电容和功率走线的电感引起的

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11
q331513266| | 2011-12-28 10:20 | 只看该作者
驱动频率高,有电感……

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q331513266| | 2011-12-28 10:22 | 只看该作者
好像用了1M的吧?降到10K

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xiaoyuan_ly| | 2011-12-28 21:51 | 只看该作者
4# xiaoyuan_ly  
的确是带载后才产生的问题,下管的确没有这样的问题,我来看看上管的回路
fengxiangru 发表于 2011-12-26 08:39


还是负载引起的,理论上没有问题,但实际的实现过程中,负载(特别是感性负载)在浮地点切换时的表现为反势的能量没有释放的回路。我的理解是: 开关回路是表现为容性的,所以会有瞬时的变化导致浮地的变化。你说呢??!!   不知道加反向二级管构成释放回路,可以伐

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xiaoyuan_ly| | 2011-12-28 21:56 | 只看该作者
再说一下,你的这个频率在如此大功率下,可以用约1M的频率吗??--- 对此我怀疑,我用过比你小的200V/30A的管,是不能到1M使用频率的。 你看了管子的文档了吗??!!

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