延迟FLASH的读写寿命

1万 · 2020-6-26 14:06

做一个东西，读写次数较多且使用时间较长。

需要考虑到FLASH的使用寿命，且要考虑断电后如何找到断电前写到的位置

有大佬知道怎么做的吗？

2万 · 2020-6-26 14:08

AN4061 应用笔记 STM32F0xx 微控制器中的
EEPROM 仿真

2万 · 2020-6-26 14:11

尽量少擦,轮番写到各个扇区.如果是频繁写某个几个字节可以考虑写到备份寄存器

2万 · 2020-6-26 14:14

断电恢复也是用备份寄存器,在备份寄存器里保留一个指针.

只看该作者 · 2020-6-26 14:20

寿命是固定的无法延长

1万 · 2020-6-26 14:23

只能采用优化算法，使之循环读写不同的扇区

1万 · 2020-6-26 14:26

ST官网上有一个**，专门说用FLASH做E2PROM的，就是循环使用

1万 · 2020-6-26 14:29

是的，参考楼上的说法，每个扇区循环读写，增加寿命。st官方是有文档和代码的。

2万 · 2020-6-26 14:33

可以用空间换取，每次存不同的地方

1万 · 2020-6-26 14:36

磨损均衡，少擦，实在没有空间了再擦除。

1万 · 2020-6-26 14:46

这个我有想过，不过我存的数据比较多，所以没有办法

1万 · 2020-6-26 14:50

就是想知道这个优化算法是怎样的

1万 · 2020-6-26 14:53

起始可以做一个断电检测，每次断电才写入FLASH。设备一般断电次数应该不多。特殊设备除外。

1万 · 2020-6-26 14:56

换FRAM

只看该作者 · 2020-6-26 15:01

这个备份寄存器必须要加电池吧，貌似没有电池也保存不了。

1万 · 2020-6-26 15:04

这是正是我要的，谢谢

2万 · 2020-6-26 15:09

是的,又快又大又不需要电...恐怕没有,你多大的数据量啊

1万 · 2020-6-26 15:13

采用优化算法，使之循环读写不同的扇区

1万 · 2020-6-26 15:15

这个还真没关心过

1万 · 2020-7-10 16:41

有专门文档进行说明