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怎么看芯片的输入电流?

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agloo|  楼主 | 2009-1-24 12:33 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
沙发
NE5532| | 2009-1-24 13:53 | 只看该作者

leakage是静态

动态指标要用输入电流估算,一般设计不用计较到这个份上。并且leakage和动态电流(关系输入电容大小)是封装决定的,你不一定在数据手册上能找到这些指标。

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板凳
agloo|  楼主 | 2009-1-24 14:42 | 只看该作者

谢谢施主。

我想大概估算一下电流的数量级。我怕驱动芯片的驱动能力搞它不定。另外,我要用电池供电,想知道这个片子大概会消耗多少功率在I/O上。

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地板
NE5532| | 2009-1-24 16:10 | 只看该作者

没几个uA

你加上拉耗的电都比这个多。

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chunyang| | 2009-1-25 22:12 | 只看该作者

SRAM都是CMOS结构的

    其输入电阻很高,不能用电流衡量,主要是通过节电容的充放电效应消耗输入电流,而该效应与输入信号的频率相关,不是常量,通常HC门的驱动能力可至少带数十个CMOS型输入,只是实际应用中负载过多会因布线复杂导致信号反射,而信号反射很可能比CMOS的容性输入负载对信号的影响更严重,同时也是频率越高越明显,所以考量高速CMOS电路设计时要用专门的设计思想而不能简单套用欧姆定律。

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agloo|  楼主 | 2009-1-29 06:09 | 只看该作者

多谢多谢。

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