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关于NAND FLASH使用的疑惑。

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 楼主| 冰糖炖雪梨 发表于 2018-7-14 21:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
flash, NAND, ge, RS, se
第一个page的spare区64字节和2K 的数据存储区，再看STM32F429的NAND FLASH实验，有点不理解的地方就是用FTL_WriteSectors函数写用户的数据时会对spare区64字节操作吗？还是会自动跳过这个区？如果会对这个区进行写用户数据，那么下次开机的spare区前四个字节不是发生变化了吗？
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