本帖最后由 岚夜 于 2020-7-20 09:02 编辑
极性反接保护将保护用场效应管与被保护电路串联联接。保护用场效应管为PMOS场效应管或NMOS场效应管。若为PMOS，其栅极和源极分别联接被保护电路的接地端和电源端，其漏极联接被保护电路中PMOS元件的衬底。若是NMOS，其栅极和源极分别联接被保护电路的电源端和接地端，其漏极联接被保护电路中NMOS元件的衬底。一旦被保护电路的电源极性反接，保护用场效应管会构成断路，防止电流焚毁电路中的场效应管元件，保护整体电路。
N沟道MOS管经过S管脚和D管脚串接于电源和负载之间，电阻R1为MOS管供应电压偏置，运用MOS管的开关特性控制电路的导通和断开，然后防止电源反接给负载带来损坏。正接时分，R1供应VGS电压，MOS丰满导通。反接的时分MOS不能导通，所以起到防反接作用。
VZ1为稳压管防止栅源电压过高击穿mos管。 NMOS管接在电源的负极，栅极高电平导通。 PMOS管接在电源的正极，栅极低电平导通。
一般来说MOS管 Vgs的击穿电压 在10~20V左右 ，按照Vgs最大20V 问题1： 输入电压24V时 ，为了防反接 ，同时为了防止栅极被击穿， 引入R1和R2 分压栅级 Vgs的电压，R1和R2 选择阻值为多少能使空载的功耗最小，又能起到防反接的功能？ 问题2 C1和R3 起了什么作用？
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