中国，2017年3月23日—— 意法半导体最新的900VMDmesh™ K5超结MOSFET管让电源设计人员能够满足更高功率和更高能效的系统需求，具有同级最好的导通电阻(RDS(ON))和动态特性。
900V击穿电压确保高总线电压系统具有更高的安全系数。新系列产品含有首个RDS(ON)导通电阻低于100m?的900V MOSFET管，是RDS(ON)电阻最低的DPAK产品。业内最低的栅电荷(Qg)确保开关速度更快，在需要宽输入电压的应用领域，实现更大的配置灵活性。这些特性确保标准准谐振电路、主动钳位设计等各种反激式转换器具有高能效和可靠性，覆盖低至35W高至230W的额定功率范围。此外，低输入输出电容(Ciss,Coss)可实现零电压开关，使半桥LLC谐振转换器的电能损耗最小化。
新器件的高安全系数和优异的动态特性让设计人员能够提高各种产品的性能，例如服务器电源、三相开关式电源(SMPS)、LED照明电源、电动汽车(EV)充电器、太阳能板、焊接机、工业设备驱动系统和工厂自动化。
意法半导体MDmesh K5系列超结晶体管产品种类繁多，包括800V、850V、900V、950V、1050V、1200V和1500V额定电压的产品。再加上灵活的封装选择，包括TO-220AB、TO-220FP、TO-247、TO-247长引脚、IPAK和I2PAK，以及D2PAK和DPAK表面功率封装，意法半导体为设计人员提供丰富的超结超高电压(VHV)MOSFET产品。
最新的900V MDmesh™ K5 MOSFET管即日上市，采用DPAK封装的STD4N90K5。
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