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NMOS的无端消耗电流问题

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楼主
做一个开机电路,用到NMOS,电路如下:

一个很简单的NMOS驱动电路,预计Q1-G的输入阻抗为M级别,但是实际测试通电的状态下,Q1-G会汲取0.18mA的电流,导致R41上产生压差,打通电源通路上的PMOS(未画出)。
理论上Q1-D接的是P3V3,因为没开关。P3V3实测大约0V(mV级别)。
理论上VGS=9.54V,仅仅是打开了DS的通道,为何Q1-G会汲取如此大的电流。
拆了Q1就没问题了,连续两块板子都是一样的现象
希望大家能指点一二,多谢。

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沙发
wh6ic| | 2020-7-27 16:26 | 只看该作者
查原厂pdf, ntk3134 的 Vgs 耐压只有 +/-6V, 现在有9.54V,会有这个结果的原因很简单。

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legend_yuan|  楼主 | 2020-7-27 22:25 | 只看该作者
wh6ic 发表于 2020-7-27 16:26
查原厂pdf, ntk3134 的 Vgs 耐压只有 +/-6V, 现在有9.54V,会有这个结果的原因很简单。 ...

多谢指点,没想到,用习惯了

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