请教下,吧 H7的HAL库升级到 HAL V1.5.0.0 这个版本后,貌似读写NANDflah 速度下降了不少?
具体如下:
之前 HAL v1.3.0.0
nand flsh 参数配置
//资料介绍 10ns
// CLE低和RE低之间的延迟,HCLK周期数
NAND_Handler.Init.TCLRSetupTime=2; //设置TCLR(tCLR=CLE到RE的延时)=(TCLR+TSET+2)*THCLK,THCLK=1/200M=5ns 10
// ALE低和RE低之间的延迟,HCLK周期数
NAND_Handler.Init.TARSetupTime=2; //设置TAR(tAR=ALE到RE的延时)=(TAR+TSET+1)*THCLK,THCLK=1/200M=5n。 10
ComSpaceTiming.SetupTime = 2;
ComSpaceTiming.WaitSetupTime = 4; //等待时间 对于 H743系列单片机(主频400MHz),最低要求等待参数为4
ComSpaceTiming.HoldSetupTime = 2;
ComSpaceTiming.HiZSetupTime = 2;
AttSpaceTiming.SetupTime = 2;
AttSpaceTiming.WaitSetupTime = 4; //等待时间 H743系列单片机(主频400MHz),最低要求等待参数为4
AttSpaceTiming.HoldSetupTime = 2;
AttSpaceTiming.HiZSetupTime = 2;
Data Len: 16777216Byte, Write Time: 2135ms, Write Speed: 7858KB/s
Data Len: 16777216Byte, Write Time: 3342ms, Read Speed: 5020KB/s
NAND Data Read Write Size Data = 16384 KByte Test ... ...OK
HAL v1.5.0.0
//资料介绍 10ns
// CLE低和RE低之间的延迟,HCLK周期数
NAND_Handler.Init.TCLRSetupTime=8; //设置TCLR(tCLR=CLE到RE的延时)=(TCLR+TSET+2)*THCLK,THCLK=1/200M=5ns 10
// ALE低和RE低之间的延迟,HCLK周期数
NAND_Handler.Init.TARSetupTime=8; //设置TAR(tAR=ALE到RE的延时)=(TAR+TSET+1)*THCLK,THCLK=1/200M=5n。 10
ComSpaceTiming.SetupTime = 5;
ComSpaceTiming.WaitSetupTime = 5;
ComSpaceTiming.HoldSetupTime = 5;
ComSpaceTiming.HiZSetupTime = 5;
AttSpaceTiming.SetupTime = 5;
AttSpaceTiming.WaitSetupTime = 5;
AttSpaceTiming.HoldSetupTime = 5;
AttSpaceTiming.HiZSetupTime = 5;
这个配置读写速度貌似 差不多是 2-3MB/S
如果 这个 HAL V1.5.0.0 的参数还是按照 V1.3.0.0 的话,读 貌似会有问题 ??
写基本正常
有谁遇到过没有啊 ??
就只是更改以上配置,其他的 读写 程序都没有任何的 修改 |