请教下，吧 H7的HAL库升级到 HAL V1.5.0.0 这个版本后，貌似读写NANDflah 速度下降了不少？

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博斯|

楼主 | 2018-8-8 11:26 | 只看该作者回帖奖励

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读写, NAND, TI, se, setup

请教下，吧 H7的HAL库升级到 HAL  V1.5.0.0 这个版本后，貌似读写NANDflah 速度下降了不少？

具体如下：
之前 HAL v1.3.0.0
nand flsh 参数配置
  //资料介绍 10ns
      // CLE低和RE低之间的延迟，HCLK周期数
      NAND_Handler.Init.TCLRSetupTime=2;    //设置TCLR(tCLR=CLE到RE的延时)=(TCLR+TSET+2)*THCLK,THCLK=1/200M=5ns  10

      // ALE低和RE低之间的延迟，HCLK周期数
      NAND_Handler.Init.TARSetupTime=2;    //设置TAR(tAR=ALE到RE的延时)=(TAR+TSET+1)*THCLK,THCLK=1/200M=5n。 10

      ComSpaceTiming.SetupTime    = 2;
      ComSpaceTiming.WaitSetupTime = 4;                   //等待时间对于 H743系列单片机(主频400MHz),最低要求等待参数为4
      ComSpaceTiming.HoldSetupTime = 2;
      ComSpaceTiming.HiZSetupTime  = 2;

      AttSpaceTiming.SetupTime    = 2;
      AttSpaceTiming.WaitSetupTime = 4;                   //等待时间 H743系列单片机(主频400MHz),最低要求等待参数为4
      AttSpaceTiming.HoldSetupTime = 2;
      AttSpaceTiming.HiZSetupTime  = 2;

Data Len: 16777216Byte, Write Time: 2135ms, Write Speed: 7858KB/s
Data Len: 16777216Byte, Write Time: 3342ms, Read Speed: 5020KB/s
NAND Data Read Write Size Data = 16384 KByte Test  ... ...OK

HAL v1.5.0.0
  //资料介绍 10ns
      // CLE低和RE低之间的延迟，HCLK周期数
      NAND_Handler.Init.TCLRSetupTime=8;    //设置TCLR(tCLR=CLE到RE的延时)=(TCLR+TSET+2)*THCLK,THCLK=1/200M=5ns  10

      // ALE低和RE低之间的延迟，HCLK周期数
      NAND_Handler.Init.TARSetupTime=8;    //设置TAR(tAR=ALE到RE的延时)=(TAR+TSET+1)*THCLK,THCLK=1/200M=5n。 10

      ComSpaceTiming.SetupTime    = 5;
      ComSpaceTiming.WaitSetupTime = 5;
      ComSpaceTiming.HoldSetupTime = 5;
      ComSpaceTiming.HiZSetupTime  = 5;

      AttSpaceTiming.SetupTime    = 5;
      AttSpaceTiming.WaitSetupTime = 5;
      AttSpaceTiming.HoldSetupTime = 5;
      AttSpaceTiming.HiZSetupTime  = 5;

这个配置读写速度貌似差不多是 2-3MB/S

如果这个 HAL V1.5.0.0 的参数还是按照 V1.3.0.0 的话，读貌似会有问题？？

写基本正常

有谁遇到过没有啊？？

就只是更改以上配置，其他的读写程序都没有任何的修改

使用特权

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请教下，吧 H7的HAL库升级到 HAL V1.5.0.0 这个版本后，貌似读写NANDflah 速度下降了不少？

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