芯片IC可靠性验证试验RA
高温老化寿命试验(HTOL)
参考标准：JESD22-A108；
测试条件：
For devices containing NVM, endurance preconditioning must be performed before HTOL per Q100-005.
Grade 0: +150℃ Ta for 1000 hours.
Grade 1: +125℃ Ta for 1000 hours.
Grade 2: +105℃ Ta for 1000 hours.
Grade 3: + 85℃ Ta for 1000 hours.
Vcc (max) at which dc and ac parametric are guaranteed. Thermal shut-down shall not occur during this test.
TEST before and after HTOL at room, hot, and cold temperature.
高加速应力试验(HAST)
参考标准：JESD22-A110；
测试条件：
Plastic Packaged Parts
Grade 0: +175℃ for 1000 hours or +150℃ for 2000 hours.
Grade 1: +150℃ for 1000 hours or +175℃ for 500 hours.
Grades 2 to 3: +125℃ for 1000 hours or +150℃ for 500 hours.
Ceramic Packaged Parts
+250℃ for 10 hours or +200℃ for 72 hours.
TEST before and after HTSL at room and hot temperature.
* NOTE: Data from Test B3 (EDR) can be substituted for Test A6 (HTSL) if package and grade level requirements are met.
高温存储试验(HTSL)
参考标准：JESD22-A103 ；
测试条件：
Plastic Packaged Parts
Grade 0: +175℃ for 1000 hours or +150℃ for 2000 hours.
Grade 1: +150℃ for 1000 hours or +175℃ for 500 hours.
Grade 2 to 3: +125℃ for 1000 hours or +150℃ for 500 hours.
Ceramic Packaged Parts
+250℃ for 10 hours or +200℃ for 72 hours.
TEST before and after HTSL at room and hot temperature.
* NOTE: Data from Test B3 (EDR) can be substituted for Test A6 (HTSL) if package and grade level requirements are met.
广州广电计量检测股份有限公司（GRGT）是原信息产业部电子602计量站，经过50余年的发展，现已成为一家全国化、综合性的国有第三方计量检测机构，专注于为客户提供计量、检测、认证以及技术咨询与培训等专业技术服务，在计量校准、可靠性与环境试验、元器件筛选与失效分析检测、车规元器件认证测试、电磁兼容检测等多个领域的技术能力及业务规模处于国内领先水平。
GRGT目前具有以下芯片相关测试能力及技术服务能力：
芯片可靠性验证 ( RA)：
芯片级预处理(PC) & MSL试验 、J-STD-020 & JESD22-A113 ；
高温存储试验(HTSL), JESD22-A103 ；
温度循环试验(TC), JESD22-A104 ；
温湿度试验(TH / THB), JESD22-A101 ；
高加速应力试验(HTSL / HAST), JESD22-A110；
高温老化寿命试验(HTOL), JESD22-A108；
芯片静电测试 ( ESD)：
人体放电模式测试(HBM), JS001 ；
元器件充放电模式测试(CDM), JS002 ；
闩锁测试(LU), JESD78 ；
TLP；Surge / EOS / EFT；
芯片IC失效分析 ( FA)：
光学检查(VI/OM) ；
扫描电镜检查(FIB/SEM)
微光分析定位(EMMI/InGaAs)；
OBIRCH ；Micro-probe;
聚焦离子束微观分析(FIB)；
弹坑试验(cratering) ；芯片开封(decap) ；
芯片去层(delayer)；晶格缺陷试验(化学法)；
PN结染色 / 码染色试验；
推拉力测试(WBP/WBS)；红墨水试验：
PCBA切片分析(X-section)；
芯片材料分析：
高分辨TEM (形貌、膜厚测量、电子衍射、STEM、HAADF)；
SEM (形貌观察、截面观察、膜厚测量、EBSD)；
Raman (Raman光谱)；AFM (微观表面形貌分析、台阶测量)；
芯片分析服务：
ESD / EOS实验设计；
集成电路竞品分析；
AEC-Q100 / AEC-Q104开展与技术服务；
未知污染物分析包括：化学成分组成分析、成分含量分析、分子结构分析、晶体结构分析等物理与化学特性分析材料理化特性全方位分析。镀层膜层全方位分析 (镀层膜层分析方案的制定与实施，包括厚度分析、元素组成分析、膜层剖面元素分析)；
GRGT团队技术能力：
•集成电路失效分析、芯片良率提升、封装工艺管控
•集成电路竞品分析、工艺分析
•芯片级失效分析方案turnkey
•芯片级静电防护测试方案制定与平台实验设计
•静电防护失效整改技术建议
•集成电路可靠性验证
•材料分析技术支持与方案制定
半导体材料分析手法
芯片测试地点：广电计量-广州总部试验室、广电计量-上海浦东试验室。
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芯片测试业务咨询及技术交流：
GRGT李工 138-0884-0060；
lisz@grgtest . com
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