复位期间外设就会误动作

发表于 2012-1-2 09:43

M16复位期间I/O口是高阻状态，这样I/O口控制的外设就不会动作，可是换成了82G516,复位期间外设就会误动作，有什么办法解决？

发表于 2012-1-2 09:47

为啥也不用MEGA16了？呵呵

发表于 2012-1-2 09:48

是啊，82G516的I/O的状态时可以通过程序来设置成推挽，上拉，输入等状态，基本和M16的I/O差不多

发表于 2012-1-2 09:50

MPC82G516 的I/O口，默认是标准的8051 I/O口模式，工作在准双向，复位后输出为1，弱上拉。

发表于 2012-1-2 12:50

对，但是复位期间的状态应该是和普通51一样，是弱上拉，也就是高电平。

发表于 2012-1-2 12:52

改用复位后I/O口可设定为默认开漏模式的51芯片，这样I/O口控制的外设就不会动作，电路外围也不需要加个什么非门，也不用改什么外围电路了。

发表于 2012-1-2 12:59

我觉得MPC82G516的P0口设计时有点小问题。

上电复位时，
P0M0 端口P0 模式寄存器0，复位值=0000,0000B
P0M1 端口P0 模式寄存器1，复位值=0000,0000B

发表于 2012-1-2 13:01

不是很理解

发表于 2012-1-2 13:04

即上电复位默认P0口为准双向端口，和传统的51单片机P0口上电复位默认P0口为开漏输出，不兼容！

发表于 2012-1-2 13:06

对，
否则，MPC82G516的P0口可满足你设计的要求。

发表于 2012-1-2 13:10

复位后的确是上拉~

发表于 2012-1-2 13:12

这个复位后上拉，是比较烦人，51改了这么久，也不做点改进。

发表于 2012-1-2 13:13

I/O是用来驱动8个三极管，看来非要加个IC不行了。

发表于 2012-1-2 13:15

改成低电平驱动可以吗？

发表于 2012-1-2 13:18

可改用复位后I/O口可设定为默认开漏模式的51芯片，这样I/O口控制的外设就不会动作，电路外围也不需要加个什么非门，也不用改什么外围电路了。

发表于 2012-1-2 15:19

这类复位后I/O口可设定为默认开漏模式的51芯片，很常规很通用的，在中国的用量也挺广挺多的，网上去搜一下，就能找到。

发表于 2012-1-2 15:21

可以用低推的方法来解决这个问题,而且灌电流要比驱动电流要大很多.

发表于 2012-1-2 15:23

Megawin(笙泉)单片机比其他51单片机最占优势的地方在于仿EEPROM容量可以划分较大，对某些需要较大EEPROM存储数据的应用，可以省去外接EEPROM, 简化结构，降低成本。

发表于 2012-1-2 15:26

复位后肯定是没有问题，复位后不管是开漏还是输出低电平，I/O都不会误动作。

发表于 2012-1-2 15:29

没人说了？我考虑的是复位期间，I/O控制的外设会动作。