简介 MOSFET – 是金属氧化物半导体场效应晶体管的首字母缩写词，它是电子行业高频高效开关领域的 关键 组件。让人称奇的是，FET 技术发明于 1930 年，比双极晶体管要早大约 20 年。第一个信号级 FET 晶体管诞生于 20 世纪 50 年代末期，而功率 MOSFET 则诞生于 70 年代中期。如今，从微处理器到“分立式”功率晶体管在内的各种现代电子组件均集成了数以百万计的 MOSFET 晶体管。本报告重点介绍了各种开关模式功率转换应用中功率 MOSFET 的栅极驱动 应用非常重要。
MOSFET 技术
双极晶体管和 MOSFET 晶体管的工作原理相同。从根本上说，这两种晶体管都是电荷控制器件，这就意味着它们的输出电流与控制电极在半导体中形成的电荷成比例。将这些器件用作开关时，都必须由能够提供足够灌入和拉出电流的低阻抗源来驱动，以实现控制电荷的快速嵌入和脱出。从这一点来看，在开关期间，MOSFET 必须以类似于双极晶体管的形式进行“硬”驱动，以实现可媲美的开关速度。从理论上来说，双极晶体管和 MOSFET 器件的开关速度几乎相同，这取决于电荷载流子在半导体区域中传输所需的时间。功率器件的典型值大约为 20 至 200 皮秒，具体取决于器件大小。
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理.pdf
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