CH552的iFLASH失效模式是什么？

发表于 2020-8-8 10:54

看CH552的datasheet发现，ROM是iFlash工艺，寿命约200次，这个次数，对于正式产品，是足够的。
但是对于开发阶段频繁烧写测试完全可能会用完，想问下如果达到200次寿命以后，ROM失效，最终表现是什么？
1）完全无法写入
2）写入以后校验不通过
3）写入后校验通过重新上电丢失
是哪种呢？没有别的意思，只是想及时知道然后及时替换芯片而已。
200次寿命如果能大大降低成本是个不错的设计，实际批量产品根本不需要100k PE的寿命。

发表于 2020-8-10 10:17

量产之后不建议在运行程序里频繁擦写Flash，
调试阶段时，如果Flash擦写次数超过设计的寿命次数，某些位可能固定位0或1，无法擦写，下载程序时校验无法通过。

[单片机芯片] CH552的iFLASH失效模式是什么？

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