|
特性描述 电力主管 当DRV8801-Q1设备不使用时，控制输入nSLEEP用于最小化功耗。nSLEEP输入禁用了许多内部电路，包括内部电压轨和电荷泵。nSLEEP被断言为逻辑低。此输入引脚上的逻辑高导致正常操作。当从低切换到高时，用户应在应用PWM信号之前允许1毫秒的延迟。充油泵需要这段时间才能稳定下来。 桥梁控制 表1显示了DRV8801-Q1的逻辑：
为了防止快速衰减同步整流过程中的电流反向，当电流接近0 A时，输出将进入高阻抗状态。 上述逻辑表中每个状态的电流路径如图6所示。 模式1 输入模式1用于在快速衰减模式和慢速衰减模式之间切换。逻辑高使设备处于慢衰减模式。 模式2 模式2用于选择在慢衰变再循环期间使用哪一组驱动器（高压侧与低压侧）。只有当模式1被断言为高时，模式2才有意义。模式2的逻辑高电平通过高压侧驱动器进行电流再循环。逻辑低电平通过低压侧驱动器进行电流再循环。 同步整流快速衰减 这种衰变模式相当于驱动场效应晶体管（图6中的2）对面的场效应晶体管（FET）发生相变。在快速衰减时，不允许电机电流为负，因为这会导致方向改变。相反，当电流接近零时，驱动器就会关闭。有关计算功率的公式，请参见功耗部分。 同步整流慢衰减（制动模式） 在慢衰减模式下，低压侧和高压侧驱动器都会打开，允许电流通过H桥和负载的低压侧和高压侧主体二极管循环（图6中的3和4）。有关计算高侧和低侧慢衰变功率的公式，请参见功耗部分。
充电泵 电荷泵用于产生高于VBB的电源，以驱动源端DMOS门。CP1和CP2之间应连接一个0.1-μF陶瓷单片电容器，以便于泵送。在VCP和VBB之间连接一个0.1μF的陶瓷单片电容器，作为储能器来运行高侧DMOS器件。 感官 低值电阻器可放置在感测引脚和接地之间，用于电流感应。为了使感测输出电流电平时的接地痕迹IR降最小，电流感应电阻器应该有一个独立的接地回路连接到星形接地点。这个轨迹应该尽可能短。对于低值感测电阻，PCB中的IR下降可能非常显著，应予以考虑。 要设置手动过电流跳闸阈值，在检测引脚和GND之间放置一个电阻器。当感应引脚上升到500毫伏以上时，H桥输出被禁用（hi-Z）。设备自动重试一段时间t（OCP）。 过电流跳闸阈值可使用方程式1计算。 ![]()
选择的过电流跳闸等级不能大于I（OCP）。
VPROPI VPROPI输出约等于感应引脚上电压的五倍。VPROPI只有在有一个电阻器连接到检测管脚时才有意义。如果感应管脚接地，VPROPI测量0 V。还要注意，在慢衰减（制动）过程中，VPROPI测量值为0 V。VPROPI可输出最大2.5 V，因为在500 mV的感应电压下，H桥被禁用。 保护电路 DRV8801-Q1设备可完全防止VBB欠压、过电流和过热事件。
VBB欠压锁定（UVLO） 如果在任何时候VBB引脚上的电压低于欠压锁定阈值电压，则Hbridge中的所有FET都将被禁用，电荷泵也将被禁用。nFAULT引脚不报告UVLO故障情况，并保持hi-Z。当VBB上升到UVLO阈值以上时，操作恢复。 过流保护（OCP） 监控流经高压侧和低压侧驱动器的电流，以确保电机导线没有对电源或接地短路。如果检测到短路，H桥中的所有FET将被禁用，nFAULT被驱动为低电平，并且t（OCP）故障计时器启动。在这段时间t（OCP）之后，允许设备遵循输入命令，并尝试另一个开启（在此尝试期间nFAULT释放）。如果仍有故障，则循环重复。如果t（OCP）失效后短路状态不存在，则恢复正常运行并解除nFAULT。 超温警告（OTW） 如果模具温度升高超过热警告阈值，则nFAULT引脚驱动低。当模具温度降至滞后水平以下时，nFAULT引脚被释放。如果模具温度继续升高，设备将进入超温关机（OTS）部分所述的过热关机。 超温停机（OTS） 如果模具温度超过热关机温度，则H桥中的所有FET将被禁用，电荷泵将关闭。在此故障情况下，nFAULT引脚保持拉低状态。当模具温度降至滞后阈值以下时，操作自动恢复。 热关机（TSD） 芯片上集成了两个模具温度监测器。当模具温度上升到最大值时，在160°C时会触发一个热警告信号。此故障会导致nFAULT low（低故障），但不会禁用芯片的操作。如果模具温度进一步升高至约175°C，全桥输出将被禁用，直到内部温度降至低于15°C的滞后。 设备功能模式 除非nSLEEP引脚逻辑低，否则DRV8801-Q1设备处于活动状态。在休眠模式下，电荷泵被禁用，H桥场效应晶体管被禁用hi-Z。如果nSLEEP逻辑高，DRV8801-Q1设备将自动退出休眠模式。 应用与实施 注意 以下应用章节中的信息不是TI组件规范的一部分，TI不保证其准确性或完整性。TI的客户负责确定组件的适用性。客户应验证和测试其设计实现，以确认系统功能。
| 
楼主
标题置顶
标题高亮
