打印

电池和适配器给负载供电的选择电路

[复制链接]
1108|3
手机看帖
扫描二维码
随时随地手机跟帖
跳转到指定楼层
楼主
目前有一个项目,需要驱动一个阻性负载,6~8A,需要PWM控制功率。
平时使用18650电池三节串联到12.6V左右供电,当适配器插入时是切换到适配器供电。
如图,Q1和Q5的PMOS起防反作用,Q2和Q6的PMOS管起PWM控制作用。
1. 如果没有Q1和Q5,当插入适配器,同时ADAPTOR2打开Q2时,电流会经过Q2然后再经过Q6的体二极管流到电池端,是否会对电池有影响?为了解决这个问题,考虑前面加二极管,由于负载电流很大,6~8A,用二极管是不现实的,所以改用了PMOS做防反电流(PMOS内阻足够小)。
2. 加了Q1和Q5之后,开始考虑Q1和Q2的控制端连接在一起,Q5和Q6的控制端连接到一起,只需要2个CPU的控制脚即可。但是又有新的问题,由于都是独立的PMOS管,一定会有个体差异,一致性不一定好,所以会不会发生例如Q2先导通,Q1再导通的现象,如果有这个现象,就会变成Q2导通后,负载的大电流直接流经Q1的体二极管而导致Q1这个MOS损坏?
3. 那可否对两个MOS管之间加硬件延时电流,比如RC电路,后来考虑到,当加了电路在导通的瞬间,让Q1先导通,然后经过延时电流,让Q2再导通,这样的话,就不会出现大电流流经Q1的体二极管的现象了,但是,当关闭时,变成了Q1先关闭,然后经过延时电流再关闭Q2,又出现了Q1关闭Q2导通的情况,又会出现大电流流过Q1体体二极管现场?
4. 为了解决上面的问题2和问题3,只能考虑把Q1,Q2,Q5,Q6这4个PMOS管单独加控制的方式,在检测到适配器有输入时(前面会有电阻分压到CPU采样),把Q6先关闭,再关闭Q5(此时Q1和Q2都是关闭的),再去打开Q1,最后打开Q2。当检测到适配器已经拔出,那么需要先关闭Q2,再关闭Q1,然后打开Q5,最后打开Q6。
是否只有图中这样的笨办法才可以实现所谓的电源管理功能,因为电流比较大,6~8A,所以没有找到合适的电源管理芯片来完成所需功能,只能靠自己的CPU来做,不知道还有其他什么好办法?请教各位高人了。

PMOS.png (38.29 KB )

PMOS.png

使用特权

评论回复

相关帖子

沙发
123654789| | 2020-8-10 09:09 | 只看该作者
第一个问题
你说的 ,
为了解决这个问题,考虑前面加二极管,由于负载电流很大,6~8A,用二极管是不现实的,
回答,
大把二极管可以选择,例如,共阴对,肖特基二极管。

================================

第二个问题
你的那个Q1 PMOS 体内二极管,长期导通,
不存在一致性不一定好,而Q2先导通,Q1再导通的现象

================================

第三个问题
你讲的
3. 那可否对两个MOS管之间加硬件延时电流,比如RC电路,

后来考虑到,当加了电路在导通的瞬间,让Q1先导通,然后经过延时电流,

让Q2再导通,这样的话,就不会出现大电流流经Q1的体二极管的现象了,

可以加延迟电路,但是这个延迟电路不会RC电路。

你希望Q1先导通,Q2后导通

就算不加延迟电路 , 目前已经就是Q1先导通,Q2后导通

符合你的愿望了。

使用特权

评论回复
板凳
kevinleez|  楼主 | 2020-8-10 20:33 | 只看该作者
123654789 发表于 2020-8-10 09:09
第一个问题
你说的 ,
为了解决这个问题,考虑前面加二极管,由于负载电流很大,6~8A,用二极管是不现实的 ...

首先很感谢你的回复。
我还是有一些疑问想再请教一下。
1)您说的肖特基二极管这些,我们试过,是可以,但是好烫好烫。所以希望用PMOS的小内阻来做。
2)您说的Q1的体二极管一直是通的没错,但是当适配器上电后,Q1的体二极管让适配器的电压从Q1的D传到S,但是由于GS还没有电压差,导致Q1和Q2都还没有导通,只是Q1的体二极管通的,这样的话,当我控制ADAPTOR1和ADAPTOR2的时候,可以让GS之间有压差,才能开通Q1和Q2,此时开通Q1和Q2的先后顺序就是由我的CPU控制,但是如果ADAPTOR1和ADAPTOR2是一个控制信号,由于2个控制三极管的一致性不一定一样,导致给到Q1和Q2的G端的电压接近0V不同时。
3)为什么不加延时电路就已经是Q1先导通,再Q2导通?那如果这样的话,关闭的时候,是哪个先关闭?
万分感谢,希望再帮忙指点一下。

使用特权

评论回复
地板
123654789| | 2020-8-11 09:11 | 只看该作者
所以会不会发生例如Q2先导通,Q1再导通的现象,如果有这个现象,就会变成Q2导通后,负载的大电流直接流经Q1的体二极管而导致Q1这个MOS损坏?
=================
如果是因为电流大二导致Q1的体二极管而损坏,
你好像是在追求同时导通,
同时导通不能改善Q1的体内二极管的损坏,

使用特权

评论回复
发新帖 我要提问
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

46

主题

137

帖子

2

粉丝