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我们来看一下MCU设计中的情况，其中IoT RAM明显比外部DRAM具有优势。在下面的通用MCU图中，工作/静态存储器部分越来越需要扩展。在整个工作空间中使用DRAM会增加系统的功耗，并需要集成刷新控制器。 通过用IoT ram替换DRAM，消除了对外部刷新控制器的需求，这降低了接口的复杂性和相关的验证成本，利用了外部SPI接口的使用，同时保持了最新IoT应用程序所要求的高性能水平，并降低整个系统的功耗。有些基于MCU的旧系统仍在使用SDRAM，在降低功耗和简化接口方面，可以受益于IoT RAM的使用。下表清楚显示了待机电流和有功电流的优点，同时保持了相当的传输速率。 图1具有常见内存使用情况的典型基于MCU的系统 AP内存–满足当今物联网内存需求的可靠合作伙伴 AP Memory与许多领先的MCU，SoC和FPGA供应商合作，为客户提供优化的解决方案，并且在启用简化信号协议（QSPI，OPI，ADMUX）和IoT / Edge产品的软件包选项，如下表所示。AP Memory还提供了业界最广泛的IoT RAM密度选择，可满足各种功率/性能和带宽要求。 ·QSPI可以连接到现有的Quad SPI NOR接口。 ·OSPI DDR与Xccela联盟协议和OctaRam兼容。 对更丰富的IoT /嵌入式应用程序的需求推动了对更多处理能力，更高板载内存和增加连接带宽的需求，同时又保持了生产成本效率。AP Memory的产品组合非常适合扩展嵌入式/ IoT体验，从而有助于创造更美丽的世界
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