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逆变器制作

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zhuww|  楼主 | 2020-8-15 18:50 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
能驱动多少对场效应管?我看的都是小功率的!想做个1KW以上的大功率!是家用工频的!但只有前级,后级慢慢找就是,或者找直接就是工频的!那位师父知道,上面芯片最多能驱动多少对场效应管?最好有能够是工频的线路图!功率大些就行了!谢谢!

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沙发
guoyt| | 2020-8-15 18:52 | 只看该作者
芯片驱动MOS管要从两方面分析,一方面是芯片的驱动能力,另一个是MOS管本身参数。

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板凳
hanwe| | 2020-8-15 18:56 | 只看该作者
理论上MOS是电压驱动,不消耗电流,看起来是一个芯片驱动N个MOS都没问题。实际上MOS有很大的输入电容,高频驱动的时候,MOS的电容危害是很大的。

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地板
yufe| | 2020-8-15 19:00 | 只看该作者
驱动能力不够会导致上升沿上不去,下降沿下不来,MOS处在高阻区会高热烧管。

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llia| | 2020-8-15 19:05 | 只看该作者
芯片到底能驱动几个管是要靠实验分析,不能瞎说。

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6
wangpe| | 2020-8-15 19:13 | 只看该作者
这些芯片 应该算是信号源 。根据反馈信号调整输出。 脉宽。

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wangzsa| | 2020-8-15 19:17 | 只看该作者
交流有正半周和负半周一根线需要两个管子来拉高和拉低。

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8
zhanglli| | 2020-8-15 19:20 | 只看该作者
两根线就是4个管子。只要这人格管子(IGBT MOS)功率足够大就能满足。

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9
lium| | 2020-8-15 19:24 | 只看该作者
这个需要根据你实际的需要进行选择了。

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10
guoyt| | 2020-8-15 19:28 | 只看该作者
取决于你要做多大的功率,使用的电源电压及电路和用啥样的管子。

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11
langgq| | 2020-8-15 19:36 | 只看该作者
你需要根据实际情况考虑了。

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wangzsa| | 2020-8-15 19:40 | 只看该作者
芯片驱动的越多损耗就越大。。

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zhuww|  楼主 | 2020-8-15 19:45 | 只看该作者


好的,我明天去单位试一下,多谢各位大侠了哈

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