看過一個HYNIX DDR2的SPEC HY5PS561621AFP 對裡面的東西有些疑問，請高手幫解惑，謝謝。
一．tRCD是否是針對一個邏輯bank中的Active到第一個讀或寫指令的延遲時間？Internal RAS-CAS delay (>= tRCDmin)這個是不是加上AL後的真實的tRCD個這個和Bank B沒什麼關係吧？只是恰好Bank B的Read指令在那時刻出現在命令線上？
假設已經設定一個AL值，是否不管真實的tRCD有沒有滿足tRCD min都會加上一個AL，還是只有真實的tRCD不滿足tRCD min才會加上一個AL？
AL的設定應該根據什麼設定？
(SPEC中第23頁)
二．Write到read的最小時間就是滿足最不浪費數據帶寬的情況就是讓DQ盡可能連續傳輸數據(我自己理解的)，再寫的數據傳輸完成後經過tWTR的時間後就應該能傳輸讀的數據了，為什麼圖中又等了一個CL的時間才傳輸數據，結果導致最小寫到讀的時間是CL-1+BL/2+tWTR而不是BL/2+tWTR-1，這些是什麼原因呢？
(SPEC中第32頁)
四．Precharge是不是也要經過一個CL的時間才執行預充電的動作？
若是的話，Precharge還沒有執行動作Active的指令就已經發出是否正確，應該怎麼解釋呢？
(SPEC中第38頁)
五．下圖中的tRC是否標識有誤？
(SPEC中第44頁)
六．tRAS min是根據什麼情況算出來的？
七．一個tRC周期裡面針對一個邏輯BANK是不是最多能執行Brust read------Brust Write----Precharge或者Brust Write------Brust read----Precharge這些指令?
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