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提高 4H-SiC 肖特基二极管和 MOSFET 的雪崩耐受性

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麦小播|  楼主 | 2020-8-21 15:33 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
#Microchip知识# 半导体市场的最新趋势是广泛采用碳化硅(SiC)器件,包括用于工业和汽车应用的肖特基势垒二极管(SBD)和功率 MOSFET。为了使 SiC 器件在任务和安全关键型应用中保持较高的普及率,应将认证和测试策略与特定的设计规则相结合来实现高雪崩耐受性。近日Microchip的技术专家们撰写了技术**来介绍如何提高 4H-SiC 肖特基二极管和 MOSFET 的雪崩耐受性。http://www.microchip.com.cn/newc ... 8/5f364e170f28b.pdf

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