本帖最后由 simucal 于 2020-8-21 16:14 编辑
Micro-LED（μLED）凭借分辨率高、寿命长和响应速度快等独特优势获得了科研界与企业界的青睐，全球各大龙头厂商都在积极研发与布局μLED显示技术，μLED显然已经成为次世代新型显示技术的宠儿。
然而，随着μLED的器件尺寸逐渐地减小，诸多技术壁垒随之而来，如巨量转移、全彩显示、衬底材料以及封装技术等。得益于外延生长、芯片工艺及量产设备技术的持续优化与推进，μLED的发展取得了长足的进步，但未来仍然任重道远。除显示领域之外，μLED作为优质光源有望在可见光通信领域大放异彩，如何最大幅度地提高μLED的通信带宽是当前研究中的技术关键点，对于全面推动μLED技术的发展具有重要意义，这也顺应了当今信息化社会飞速发展的趋势。
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图1
基于Crosslight先进的半导体器件设计平台，我司技术团队曾深刻地揭示了侧壁缺陷对μLED器件载流子输运效率、器件性能的影响，如图1所示【Opt. Express, 27(12):A643, 2019】；为此，技术团队提出通过合理地优化量子垒层厚度来抑制侧壁缺陷复合对μLED器件性能影响，如图2所示【该成果即将发表，敬请期待】；如今，技术团队再接再厉，现已开发出可靠精准的μLED频率调制模型。基于此模型，450nm μLED器件的截止频率随着器件尺寸的减小而逐渐增加【如图3所示】，该趋势也较好地吻合了实验结果【涉及技术保密，不便展示】。μLED频率调制模型的成功开发有助于研究人员理清影响μLED器件工作频率的诸多敏感参数，顺应了眼下追求高频器件的必然趋势，极具重要的理论指导意义，这有利于我国半导体高频技术的发展，助力我国电子信息产业的蓬勃发展。
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图2
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图3
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