发新帖我要提问
返回列表
打印
[电路/定理]

第四象限可控硅控制问题

[复制链接]
1215|2
手机看帖
扫描二维码
随时随地手机跟帖
跳转到指定楼层
楼主
huangxulihua|  楼主 | 2020-8-22 15:37 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
可控硅, 控制, 压电, 隔离, 调试
由于电路问题，必须是使用第四象限控制可控硅，用的是非隔离降压电源，请教大家以下2个问题：
1、现在调试上电时，R5/R6/Q1烧坏（击穿），请大家帮忙分析下？
2、触发电流流向是否按照图中红色箭头流向？3、是否可以提供可控硅设计资料提供学习下？
谢谢大家。

微信图片编辑_20200822153534.jpg (85.78 KB )

电路图

电路图

使用特权

评论回复 赏

相关下载

相关帖子
沙发
qd118| | 2020-8-24 11:17 | 只看该作者
上楼说的对，降压电源搞错了

使用特权

评论回复 赏
板凳
huangxulihua|  楼主 | 2020-9-28 11:40 | 只看该作者
king5555 发表于 2020-8-22 15:48
要用直流去触发双向可控硅，唯一的方式(象限)，必须T1接正电压，而G接负电压。请看示意图。若不用此象限时 ...

OK，去试验下。

使用特权

评论回复 赏
返回列表
发新帖 我要提问
高级模式
B Color Image Link Quote Code 收费 Smilies
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

huangxulihua

9

主题

20

帖子

1

粉丝