求推荐上升/下降时间短的高压MOSFET

只看该作者 · 2012-1-8 16:31

正在制作一个高压脉冲发生电路，高压为-400V，希望上升时间tr,和下降时间tf在6ns以内，以得到比较陡峭的脉冲。在Fairchild的产品库里选了好久，上升时间基本上都在40ns以上。
请大家推荐一两个上升/下降时间短的MOSFET生产厂家，或者型号。
多谢！！

只看该作者 · 2012-1-8 21:14

www.irf.com
www.infineon.com

只看该作者 · 2012-1-8 22:01

上升/下降沿, 指电压还是电流? 前者容易后者难

只看该作者 · 2012-1-8 22:12

明明楼主说电压, 俺吃太饱,脑袋当掉了,晕

只看该作者 · 2012-1-8 22:19

楼主注意, MOS对电压瞬变的承受能力, 分MOS本身和体二极管两个参数, 往往是体二极管拖后腿, 你要找到能承受至少70V/nS的, 如果找不到, 就需要借助低分布参数的脉冲变压器

只看该作者 · 2012-1-9 09:29

3# Dyn11
多谢！！

只看该作者 · 2012-1-9 09:35

5# Dyn11
是电压。要做的是一个-400V脉冲发生器，用来激励超声探头。
您说的体二极管瞬变电压承受能力，是指MOSFET本身的二极管，还是用来保护栅源电压的稳压二极管？我看了很多MOSFET的datasheet，好像很少有提体二极管的瞬变电压承受能力的。
谢谢您的回复。呵呵。

只看该作者 · 2012-1-9 10:32

JJ小的人不敢去公共浴池，MOS厂商多半不敢标出那个二极管的性能

只看该作者 · 2012-1-9 10:55

8# Dyn11
哈哈！您太逗了，说的太好了！
依您的经验，哪个公司的MOSFET电压上升/下降时间做的比较好？
我比较了仙童，Vishay，英飞凌，International Rectifier，在500V档位，
英飞凌一款比较短的的上升/下降时间在14ns/11ns(测试条件：VDD=400V, ID=7.8A)。
International Rectifier一款比较短的22ns/17ns(测试条件：VDD=250V, ID=3.6A)。
对比这两款，是不是英飞凌远超International Rectifier？

只看该作者 · 2012-1-9 11:03

咱们群里聊：101465020 很多高手，一起讨论俺才有进步，不然你进步了我没能进步，我做无用功了

只看该作者 · 2012-1-9 14:12

10# Dyn11
好的，多谢！！呵呵。

求推荐上升/下降时间短的高压MOSFET

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