MOSFET并联开关电路的问题

发表于 2012-1-9 18:06

我想做一个 12V的30A的开关电路。
但是百度了一整天没看到一个样例图。
现在约莫有点思路是并联MOSFET。

谁做过能否画个图？

先谢了

发表于 2012-1-9 20:32

30A 也不大啊应该有很多可选的mos的

发表于 2012-1-9 21:02

但是我不知道电路怎做。也百度不到
我想选IRF3415，有150A，这样是否可以不用散热片？

发表于 2012-1-9 23:29

不加散热片，想都别想

顺便提醒下，IRF3415是43A的管子 3# firecow

发表于 2012-1-10 01:28

我搞错了，是IRF1404,有160A,如果两个并联，可以不加散热片吗？

发表于 2012-1-10 08:55

为什么会想到不加散热片呢？加散热片不是更好么？
5# firecow

发表于 2012-1-10 09:38

12V *30A=360W，这个不加散热片除非你有vicor的水平

发表于 2012-1-10 10:11

30A不算很大，用MOSFET管做开关，理论上可以不加散热片的。
现在有不少MOS管导通电阻不到1mR，这样在流过30A电流下耗散就是30^2*1m=0.9W，没啥问题，因此，理论上可以用无散热片的单管。
当然，0.9W也有一定发热，实际上还是要加一个小散热片为好。
但如果选两个IRF1404并联，其导通电阻2mR，那效果就差一些，每个管子也是耗散0.9W，还是要加散热片为好。

如果采用我使用的0.95mR的管子IPB009N03L，两个并联，就可以完全不用散热片。我用这种管子控制12V、500A，当然是多个并联，就没有加散热片，详见：http://bbs.38hot.net/read.php?tid=12849

至于电路，我那里的可以参考。由于MOS管输入电容大，因此需要驱动的电流也大一些，以便减少过渡时间。另外为了稳妥，要像我那样做个双稳的电路，以便保证MOS管不处于中间状态。

发表于 2012-1-10 15:13

楼上的LYMEX您好

每个管子0.9W这么低，而这个管子可以在平均80度温度下工作，最高可去到175度，是否理论上都不用散热器才对?

我不做电子很多年，都不懂这个了。您的经验觉得呢？

其他楼上的那些我就不知道是否说的对了，理论上来说，你的分析是对的。

发表于 2012-1-10 16:11

如果只是做电源开关不是PWM开关，两个1404控制30A那是肯定行的。

发表于 2012-1-10 17:02

本帖最后由 lymex 于 2012-1-10 17:22 编辑

TO220的封装，不加散热耗散0.9W没问题，就是烫手而已。
如果就是局限于TO220封装的，并且管子型号还没有选定的话，可以选IRF1324，典型导通电阻1.2mR，比IRF1404发热要小很多。

发表于 2012-1-11 08:29

如果开关频率不高，重点是RDS（ON）参数，越小发热越小，不加散热片也可以。
如果开关频率高，还要考虑开关损耗~

发表于 2012-1-13 10:09

不是很赞成，你算的是导通损耗，但是开关电源在高频下体现的还有开关损耗，对于电源来说，开关损耗有时候要比导通损耗要大，而且大得多，因此加散热片不仅要考虑到导通，更要考虑到开关损耗部分 11# lymex

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