发新帖我要提问
返回列表
打印

描述CMOS电路中闩锁效应产生的过程？

[复制链接]
298|4
手机看帖
扫描二维码
随时随地手机跟帖
跳转到指定楼层
楼主
石头张|  楼主 | 2018-9-11 12:36 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
CMOS, MOS, 电路, 闩锁效应, os
描述CMOS电路中闩锁效应产生的过程及最后的结果？

使用特权

评论回复 赏

相关下载

相关帖子
沙发
hk6108| | 2021-3-17 18:48 | 只看该作者
轻则宕，重则炸。

使用特权

评论回复 赏
板凳
hk6108| | 2021-3-17 19:00 | 只看该作者
本帖最后由 hk6108 于 2021-3-17 19:03 编辑

删除

使用特权

评论回复 赏
地板
hk6108| | 2021-3-17 19:05 | 只看该作者
CMOS 与 IGBT ，都可视之为潜在的 静电感应可控硅 ！
关于 闩锁效应 的图解，网上蛮多的，我把它重组，以pnpn为背景，把cmos直接嵌套其中，那些寄生元件与电路就甭画了吧。

使用特权

评论回复 赏
5楼
hk6108| | 2021-3-17 23:32 | 只看该作者
CMOS的沟道电源，就是「可控硅」的 Ie ，没有基极，如何能把 Ie 请出来？！
这「Ie」，正常情况下是不应跑向 橘绿分界 的，如果跑进去就大事不妙了，。

使用特权

评论回复 赏
返回列表
发新帖 我要提问
高级模式
B Color Image Link Quote Code 收费 Smilies
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

石头张

446

主题

446

帖子

0

粉丝