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各位大神，小弟有个问题想问下大家。图片中是我的电路，我先来解释下，该电路主要作用是，前端4颗MOS沟成全桥逆变（逆变频率是150KHz)，变压器T1的初级作为逆变负载，理论上这样会在T1变压器的初级上形成一个方波，通过变压器升压之后再T1的次级会得到一个更高电压的方波，然后利用方波的基波是正弦波的原理，所以再T1变压器次级我就接了我设计的无源滤波器，滤波器后输出一个150KHz 200Vpp的正弦波。但我遇到的问题是正弦波是出来了，但我的变压器和前端的4颗MOS发热严重，而且测EMC是传导150KHZ超标，超8dB,而且这些都与滤波器有关，我试过改下滤波器容值和感值，发热和传导都会有变化，所以我想让大神帮我看看，我怎样调滤波器比较合适，能减小发热，并且让传导能过。能不能帮我理论分析下这个滤波器，我是平经验调的，图上我标参数的是我调出来的值，仅供参考！ |
楼主
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传到干扰不达标，还可以使用屏蔽隔离变压器。
要解决发热问题，这个电路的原理有问题。要解决此问题要1、实测T1耦合系数 测试N1、N2的等效损耗电阻、根据T1磁芯数据计算T1的磁饱和程度，根据这些数据建立数学模型计算瞬态响应，注意观察Q1-Q4的损耗，研究一个新的原理图。
这电路是参考了什么电路，还是原创？ 1、发热问题，电路原理与变压器的耦合系数息息相关，不同耦合系数会有不同的电路形式，而且耦合系数永远不能达到1，所以对于T1的耦合系数一定要实测。 2、输出是150kHz，传到干扰也是150kHz，图中电路形式如果将传到滤掉了同时输出也就没有了，将C1-6、去掉将L1-L4换成共模扼流圈。