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TI 降低芯片功耗推荐

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芯片发烫严重,如何将芯片温度降下去?特别是一些环境温度较高的应用环境下。
解决方案:
对于芯片使用,芯片温度越高,本身失效率也会增加。所以一般情况下都会通过设计尽量降低芯片温度,通常方法如下:
  • Layout上Powerpad扩充散热,一般推荐4层板,可以利用中间层的GND。而2层只能用表面层和底部层GND,相对面积有限,散热会相对较差。
  • 降低芯片的工作频率,甚至如果是外部MOS控制,选择一些尽量Qg较小的MOS,目的都是降低芯片多难过功耗。
如果在上述都不满足的情况下,建议额外的VCC供电。芯片的主要功耗是VCC给MOS驱动供电,但是Vcc来源芯片Vin,而这电压转换是通过LDO。因此在输入电压较高的时候,LDO功耗是非常大的,这个会大大增加芯片的发热。采用外部供电,等同于不用这个MOS,(准确的说是正常启动后不用),可有效降低芯片功耗。
具体电路:
以LM25116为例,当输出电压小于5V,或者大于15V时,可以用耦合电感做一个电压出来给到VCCX(电路如下),取代原有的Vin供电。而当输出电压处于5~15V之间,可以直接将输出通过二极管给到VCCX。
所有带有VCC脚功能的电源控制芯片,理论上都可以不用内部LDO,而采用外部额外供电的方式来降低芯片的功耗。额外供电可以是外给,可以是输出,也可以是耦合电感之类的供电。

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