二极管开关速度的影响

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 楼主| 小和尚520 发表于 2020-9-2 11:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
这个图是通过一个二极管的电平隔离,来对外部韦根信号的检测。
二极管的开关参数有多大影响?
需要选用高速二极管吗?


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戈卫东 发表于 2020-9-2 13:27 | 显示全部楼层
单片机对信号的响应速度大概在微秒级别,二极管的开关速度在纳秒级别,所以可以忽略二极管的开关时间。
 楼主| 小和尚520 发表于 2020-9-2 23:03 | 显示全部楼层
戈卫东 发表于 2020-9-2 13:27
单片机对信号的响应速度大概在微秒级别,二极管的开关速度在纳秒级别,所以可以忽略二极管的开关时间。 ...

上拉电阻对开关速度影响大吗?该如何取值?
tianxj01 发表于 2020-9-3 08:27 | 显示全部楼层
小和尚520 发表于 2020-9-2 23:03
上拉电阻对开关速度影响大吗?该如何取值?

4148恢复时间是nS级别的,上拉产生的影响和单片机比起来实在是不值一提。
倒是上拉电阻本身,如果取值过大,则非常容易造成上升沿缓慢,需要合理的上拉才能给到合适的速度,像IIC的10K上拉,就已经到了几个uS的总上升时间。
至于二极管的恢复速度和单片机IO速度比,则完全可以忽略,他们不是一个数量级的概念。
 楼主| 小和尚520 发表于 2020-9-4 12:54 | 显示全部楼层
tianxj01 发表于 2020-9-3 08:27
4148恢复时间是nS级别的,上拉产生的影响和单片机比起来实在是不值一提。
倒是上拉电阻本身,如果取值过 ...

假如二极管的恢复时间比较慢,
外部信号输入低时,二极管导通,单片机IO口被拉低,这个没问题。

但当外部信号输入高时,二极管由于还没恢复,仍处于导通状态,这样外部的“高压”直接通到IO口,失去了电平隔离的作用,是这样的吗?
戈卫东 发表于 2020-9-4 13:04 | 显示全部楼层
你这个应用完全不需要考虑二极管反向恢复问题。
戈卫东 发表于 2020-9-4 13:06 | 显示全部楼层
如果有问题肯定在其他地方。
lfc315 发表于 2020-9-4 16:03 | 显示全部楼层
高电压隔离了,负电压没隔离。
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